參數(shù)資料
型號(hào)： BYT79-600
廠商： NXP Semiconductors N.V.
元件分類： 參考電壓二極管
英文描述： Ultrafast power diode
封裝： BYT79-600<SOD59 (TO-220AC)|<<http://www.nxp.com/packages/SOD59.html<1<,;
文件頁數(shù)： 4/9頁
文件大?。?/td> 68K
代理商： BYT79-600
BYT79-600_1
NXP B.V. 2007. All rights reserved.
Product data sheet
Rev. 01 — 16 October 2007
4 of 9
NXP Semiconductors
BYT79-600
Rectifier diode ultrafast
6.
Characteristics
Table 5.
T
j
= 25
°
C unless otherwise specified.
Symbol
Parameter
Static characteristics
V
F
forward voltage
Characteristics
Conditions
Min
Typ
Max
Unit
I
F
= 15 A; T
j
= 150
°
C; see
Figure 2
I
F
= 15 A; see
Figure 2
V
R
= 600 V
V
R
= 600 V; T
j
= 100
°
C
-
-
-
-
1.0
1.17
5
0.2
1.2
1.38
50
0.8
V
V
μ
A
mA
I
R
reverse current
Dynamic characteristics
Q
r
recovered charge
I
F
= 2 A to V
R
≥
30 V; dI
F
/dt = 20 A/
μ
s;
see
Figure 3
I
F
= 1 A to V
R
≥
30 V;
dI
F
/dt = 100 A/
μ
s; see
Figure 3
I
F
= 10 A to V
R
≥
30 V;
dI
F
/dt = 50 A/
μ
s; T
j
= 100
°
C;
see
Figure 3
I
F
= 10 A; dI
F
/dt = 10 A/
μ
s;
see
Figure 4
-
40
70
nC
t
rr
reverse recovery time
-
50
60
ns
I
RM
peak reverse recovery
current
-
3.0
5.2
A
V
FR
forward recovery
voltage
-
3.2
-
V
(1) T
j
= 150
°
C; typical values
(2) T
j
= 150
°
C; maximum values
(3) T
j
= 25
°
C; maximum values
Fig 2.
Forward current as a function of forward voltage
003aab479
0
10
20
30
40
50
0
0.6
1.2
1.8
V
F
(V)
I
F
(A)
(1)
(2)
(3)
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PDF描述
BYT79X-600 Ultrafast power diode
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BYT79B-600PJ 功能描述:DIODE GEN PURP 600V 15A D2PAK 制造商:ween semiconductors 系列:- 零件狀態(tài):在售 二極管類型:標(biāo)準(zhǔn) 電壓 - DC 反向（Vr）（最大值）:600V 電流 - 平均整流（Io）:15A 不同 If 時(shí)的電壓 - 正向（Vf:1.38V @ 15A 速度:快速恢復(fù) = 200mA（Io） 反向恢復(fù)時(shí)間（trr）:60ns 不同?Vr 時(shí)的電流 - 反向漏電流:10μA @ 600V 不同?Vr，F(xiàn) 時(shí)的電容:- 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-263-3，D2Pak（2 引線 + 接片），TO-263AB 供應(yīng)商器件封裝:D2PAK 工作溫度 - 結(jié):175°C（最大） 標(biāo)準(zhǔn)包裝:800
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