參數(shù)資料
型號： BYT261PIV-1000
廠商： 意法半導體
英文描述： Fast Recovery Rectifier Diodes(快速恢復整流二極管)
中文描述： 快恢復整流二極管（快速恢復整流二極管）
文件頁數(shù)： 3/5頁
文件大?。?/td> 288K
代理商： BYT261PIV-1000
IM(A)
0
0.1 0.2 0.3 0.4 0.5 0.6 0.7 0.8 0.9
1
0
50
100
150
200
250
300
350
400
450
500
T
=tp/T
tp
IM
P=100W
P=70W
P=40W
P=20W
Fig.2 :
Peak current versus form factor.
IM(A)
0.001
0.01
0.1
1
0
50
100
150
200
250
300
350
=0.5
t(s)
IM
t
=0.5
Tc=25 C
o
Tc=60 C
o
Fig.3 :
Non repetitive peak surge current versus
overload duration.
K=Zth(j-c)/Rth(j-c)
0.001
0.01
0.1
1
10
0.1
1
=0.2
=0.1
SINGLE PULSE
=0.5
t(s)
T
=tp/T
tp
Fig.4 :
Relative variation of thermal impedance
junction to case versus pulse duration.
PF(av)
0 5 10 15 20 25 30 35 40 45 50 55 60 65 70 75 80
0
10
20
30
40
50
60
70
80
90
100
110
120
130
=0.2
=0.5
IF(av)(A)
T
=tp/T
tp
=0.1
=0.05
=1
Fig.1 :
Low frequency power losses versus
average current.
QRR( C)
10
100
0.1
1.0
10.0
500
IF=IF(AV)
dIF/dt(A/ s)
90% CONFIDENCE Tj=100 C
Fig.6 :
Recovery charge versus di
F
/dt.
0.1
1
10
100
0.00
0.50
1.00
1.50
2.00
2.50
3.00
VFM(V)
MAXIMUM VALUES
IFM(A)
Tj=25 C
o
Tj=100 C
o
Fig.5 :
Voltage drop versus forward current.
BYT261PIV-1000
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PDF描述
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參數(shù)描述
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