參數(shù)資料
型號(hào)： BYM300A120DN2
廠商： INFINEON TECHNOLOGIES AG
元件分類： 參考電壓二極管
英文描述： Diode Power Module
中文描述： 450 A, SILICON, RECTIFIER DIODE
文件頁(yè)數(shù)： 1/5頁(yè)
文件大?。?/td> 153K
代理商： BYM300A120DN2
1
Oct-27-1997
BYM 300 A 120 DN2
Diode Power Module
Inside fast free-wheeling diode
Package with insulated metal base plate
Diode especially for brake choppers
matched with BSM 300 GA 120 DN 2
Type
V
R25
1200V 450A
I
FDC
Package
Ordering Code
BYM 300 A 120 DN2
SINGLE DIODE 1
C67067-A2900-A70
Maximum Ratings
Parameter
Symbol
Values
Unit
Diode reverse voltage
T
j
= 25 °C
DC current
V
R25
1200
V
T
C
= 25 °C
T
C
= 80 °C
Pulsed diode current,
t
p
= 1 ms
T
C
= 25 °C
T
C
= 80 °C
i
2
t-value, Diode
, t
P
= 10 ms,
T
j
= 150 °C
Power dissipation per Diode
I
FDC
300
450
A
I
Fpuls
600
900
∫
i
2
t
P
D
T
j
T
stg
42000
A
2
s
1000
W
Chip temperature
+ 150
°C
Storage temperature
-40 ... + 125
Thermal resistance, chip case
R
thJC
V
is
-
≤
0.125
2500
K/W
Insulation test voltage,
t
= 1min.
Vac
Creepage distance
20
mm
Clearance
-
11
DIN humidity category, DIN 40 040
-
F
sec
IEC climatic category, DIN IEC 68-1
-
40 / 125 / 56
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PDF描述
BYP25A05 Silicon Press-Fit-Diodes
BYP25A1 Silicon Press-Fit-Diodes
BYP25A2 Silicon Press-Fit-Diodes
BYP25A3 Silicon Press-Fit-Diodes
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參數(shù)描述
BYM300A120DN2HOSA1 功能描述:MOD IGBT MED POWER 62MM-2 制造商:infineon technologies 系列:- 零件狀態(tài):在售 IGBT 類型:- 配置:單一 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:1200V 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:450A 功率 - 最大值:1000W 不同?Vge，Ic 時(shí)的?Vce（on）:- 輸入:標(biāo)準(zhǔn) NTC 熱敏電阻:無(wú) 工作溫度:150°C（TJ） 安裝類型:底座安裝 封裝/外殼:模塊 供應(yīng)商器件封裝:模塊 標(biāo)準(zhǔn)包裝:10
BYM300A160DN13C_E3222 功能描述:IGBT 模塊 RoHS:否 制造商:Infineon Technologies 產(chǎn)品:IGBT Silicon Modules 配置:Dual 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:600 V 集電極—射極飽和電壓:1.95 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:230 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:445 W 最大工作溫度:+ 125 C 封裝 / 箱體:34MM 封裝:
BYM300A170DN2 功能描述:分立半導(dǎo)體模塊 1700V 300A F/DIODE RoHS:否 制造商:Infineon Technologies 產(chǎn)品:Thyristor Power Modules 類型:Phase Controls 安裝風(fēng)格:Screw 封裝 / 箱體:DT61 封裝:
BYM300B170DN2 功能描述:IGBT 模塊 N-CH 1.7KV 300A RoHS:否 制造商:Infineon Technologies 產(chǎn)品:IGBT Silicon Modules 配置:Dual 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:600 V 集電極—射極飽和電壓:1.95 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:230 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:445 W 最大工作溫度:+ 125 C 封裝 / 箱體:34MM 封裝:
BYM300B170DN2HOSA1 功能描述:MOD IGBT MED POWER 62MM-1 制造商:infineon technologies 系列:- 零件狀態(tài):在售 IGBT 類型:溝槽型場(chǎng)截止 配置:2 個(gè)獨(dú)立式 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:650V 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:40A 功率 - 最大值:20mW 不同?Vge，Ic 時(shí)的?Vce（on）:1.55V @ 15V，25A 電流 - 集電極截止（最大值）:40μA 不同?Vce 時(shí)的輸入電容（Cies）:2.8nF @ 25V 輸入:標(biāo)準(zhǔn) NTC 熱敏電阻:是 工作溫度:-40°C ~ 150°C（TJ） 安裝類型:底座安裝 封裝/外殼:模塊 供應(yīng)商器件封裝:模塊 標(biāo)準(zhǔn)包裝:10
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