參數資料
型號： BYG21M
廠商： Vishay Intertechnology,Inc.
英文描述： Fast Silicon Mesa SMD Rectifier
中文描述： 快速貼片整流硅梅薩
文件頁數： 2/5頁
文件大?。?/td> 58K
代理商： BYG21M
BYG21
Vishay Telefunken
www.vishay.de
FaxBack +1-408-970-5600
2 (5)
Rev. 3, 24-Jun-98
Document Number 86010
Electrical Characteristics
T
j
= 25 C
Parameter
Forward voltage
Test Conditions
Type
Symbol
V
F
V
F
I
R
I
R
t
rr
Min
Typ
Max
1.5
1.6
1
10
120
Unit
V
V
A
A
ns
I
F
=1A
I
F
=1.5A
V
R
=V
RRM
V
R
=V
RRM
, T
j
=100 C
I
F
=0.5A, I
R
=1A, i
R
=0.25A
Reverse current
Reverse recovery time
Characteristics
(T
j
= 25 C unless otherwise specified)
0
40
T
j
– Junction Temperature (
°
C )
80
120
160
0.01
0.1
1
10
100
I
R
200
94 9347
V
R
=V
RRM
Figure 1. Typ. Reverse Current vs. Junction Temperature
0
0
0.4
0.8
1.2
1.6
2.0
I
F
T
amb
– Ambient Temperature (
°
C )
94 9345
40
80
120
160
200
R
thJA
=25K/W
100K/W
125K/W
150K/W
Figure 2. Max. Average Forward Current vs.
Ambient Temperature
0
1
2
3
4
0.01
0.1
1
10
100
I
F
V
F
– Forward Voltage ( V )
94 9348
T
j
=125
°
C
25
°
C
75
°
C
Figure 3. Typ. Forward Current vs. Forward Voltage
0
0.2
0.4
0.6
0.8
0
100
200
300
400
600
t
r
I
F
– Forward Current ( A )
1.0
94 9349
500
T
amb
=125
°
C
I
R
=0.5A, i
R
=0.125A
75
°
C
50
°
C
25
°
C
100
°
C
Figure 4. Max. Reverse Recovery Time vs.
Forward Current
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