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參數(shù)資料
| 型號： | BYG20D |
| 廠商： | Vishay Intertechnology,Inc. |
| 英文描述： | Fast Silicon Mesa SMD Rectifier |
| 中文描述： | 快速貼片整流硅梅薩 |
| 文件頁數(shù)： | 2/5頁 |
| 文件大小： | 59K |
| 代理商： | BYG20D |
BYG20
Vishay Telefunken
www.vishay.de
FaxBack +1-408-970-5600
2 (5)
Rev. 3, 24-Jun-98
Document Number 86009
Electrical Characteristics
T
j
= 25 C
Parameter
Forward voltage
Test Conditions
Type
Symbol
V
F
V
F
I
R
I
R
t
rr
Min
Typ
Max
1.3
1.4
1
10
75
Unit
V
V
A
A
ns
I
F
=1A
I
F
=1.5A
V
R
=V
RRM
V
R
=V
RRM
, T
j
=100 C
I
F
=0.5A, I
R
=1A, i
R
=0.25A
Reverse current
Reverse recovery time
Characteristics
(T
j
= 25 C unless otherwise specified)
0
40
T
j
– Junction Temperature (
°
C )
80
120
160
0.01
0.1
1
10
100
I
R
200
94 9341
V
R
=V
RRM
Figure 1. Typ. Reverse Current vs. Junction Temperature
0
0
0.4
0.8
1.2
1.6
2.0
I
F
T
amb
– Ambient Temperature (
°
C )
94 9340
40
80
120
160
200
125K/W
R
thJA
=25K/W
100K/W
150K/W
Figure 2. Max. Average Forward Current vs.
Ambient Temperature
0
1
2
3
4
0.01
0.1
1
10
100
I
F
V
F
– Forward Voltage ( V )
94 9342
T
j
=25
°
C
T
j
=75
°
C
T
j
=125
°
C
Figure 3. Max. Forward Current vs. Forward Voltage
0
0.2
0.4
0.6
0.8
0
100
200
300
400
600
t
r
I
F
– Forward Current ( A )
1.0
94 9343
500
25
°
C
75
°
C
50
°
C
100
°
C
T
amb
=125
°
C
I
R
=0.5A, i
R
=0.125A
Figure 4. Max. Reverse Recovery Time vs.
Forward Current
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| BYG20G | Fast Silicon Mesa SMD Rectifier |
| BYG20J | Fast Silicon Mesa SMD Rectifier |
| BYG21 | Fast Silicon Mesa SMD Rectifier |
| BYG21K | Fast Silicon Mesa SMD Rectifier |
| BYG21M | Fast Silicon Mesa SMD Rectifier |
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參數(shù)描述 |
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| BYG20D-E3/TR | 功能描述:整流器 1.5 Amp 200 Volt RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 產(chǎn)品:Standard Recovery Rectifiers 配置: 反向電壓:100 V 正向電壓下降: 恢復時間:1.2 us 正向連續(xù)電流:2 A 最大浪涌電流:35 A 反向電流 IR:5 uA 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:DO-221AC 封裝:Reel |
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