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參數(shù)資料
| 型號： | BYD12 |
| 廠商： | NXP Semiconductors N.V. |
| 英文描述： | Controlled avalanche rectifiers |
| 中文描述： | 控制雪崩整流器 |
| 文件頁數(shù)： | 3/8頁 |
| 文件大小： | 49K |
| 代理商： | BYD12 |
1998 Dec 03
3
Philips Semiconductors
Preliminary specification
Controlled avalanche rectifiers
BYD12 series
ELECTRICAL CHARACTERISTICS
T
j
= 25
°
C unless otherwise specified.
THERMAL CHARACTERISTICS
Note
1.
Device mounted on an epoxy-glass printed-circuit board, 1.5 mm thick; thickness of copper layer
≥
40
μ
m,
pitch 5 mm; see Fig.6.
SYMBOL
PARAMETER
CONDITIONS
MAX.
UNIT
V
F
I
R
forward voltage
reverse current
I
F
= 1 A; see Fig.4
V
R
= V
RRMmax
V
R
= V
RRMmax
; T
j
= 165
°
C; see Fig.5
1.05
1
V
μ
A
μ
A
100
SYMBOL
PARAMETER
CONDITIONS
VALUE
UNIT
R
th j-a
thermal resistance from junction to ambient
note 1
150
K/W
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
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參數(shù)描述 |
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