參數(shù)資料
型號: BUZ72SMD
英文描述: Single-coil dual-output step-down DC/DC converter for digital base band and multimedia processor supply
中文描述: ?功率MOSFET。 100V的。 ?睵支AK。導(dǎo)通狀態(tài)\u003d 0.2歐姆。 10A條。倪?
文件頁數(shù): 6/8頁
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代理商: BUZ72SMD
BUZ 72
Data Sheet
6
05.99
Typ. output characteristics
I
D
=
(
V
DS
)
parameter: t
p
= 80 μs
0.0
1.0
2.0
3.0
4.0
5.0
6.0
V
8.0
V
DS
0
2
4
6
8
10
12
14
16
18
20
A
24
I
D
VGS [V]
a
a
4.0
b
b
4.5
c
c
5.0
d
d
5.5
e
e
6.0
f
f
6.5
g
g
7.0
h
h
7.5
i
i
8.0
j
j
9.0
k
k 10.0
l
P
tot
= 40W
l
20.0
Typ. drain-source on-resistance
R
DS (on)
=
(
I
D
)
parameter: V
GS
0
2
4
6
8
10
12
14
16
A
20
I
D
0.00
0.05
0.10
0.15
0.20
0.25
0.30
0.35
0.40
0.45
0.50
0.55
0.65
R
DS (on)
4.0
4.5
V
GS
[V] =
a
a
b
b
5.0
c
c
5.5
d
d
6.0
e
e
6.5
f
f
7.0
g
g
7.5
h
h
8.0
i
i
9.0
j
j
10.0
k
k
20.0
Typ. transfer characteristics
I
D
= f (V
GS
)
parameter:
t
p
= 80 μs
V
DS
2 x
I
D
x
R
DS(on)max
0
1
2
3
4
5
6
7
8
V
10
V
GS
0
2
4
6
8
10
12
14
16
18
20
A
24
I
D
Typ. forward transconductance
g
fs
= f
(
I
D
)
parameter:
t
p
= 80 μs,
V
DS
2 x
I
D
x R
DS(on)max
0
4
8
12
16
A
I
D
22
0.0
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
3.0
3.5
4.0
4.5
5.0
S
6.0
g
fs
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PDF描述
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參數(shù)描述
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BUZ73 H 功能描述:MOSFET N-Channel 200V Transistor RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS(導(dǎo)通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
BUZ73 H3046 功能描述:MOSFET N-Channel 200V Transistor RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS(導(dǎo)通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
BUZ73 制造商:Infineon Technologies AG 功能描述:MOSFET N TO-220