參數(shù)資料
型號(hào)： BUZ11FI
英文描述： OMNIFET FULLY AUTOPROTECTED POWER MOSFET
中文描述： 晶體管| MOSFET的| N溝道| 50V五（巴西）直| 21A條（?。﹟對(duì)220VAR
文件頁(yè)數(shù)： 6/7頁(yè)
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代理商： BUZ11FI
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PDF描述
BUZ11S2FI TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 60V V(BR)DSS | 30A I(D) | TO-220
BUZ110SE3045 TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 55V V(BR)DSS | 80A I(D) | TO-263AB
BUZ110SE3045A N-Channel Enhancement MOSFET
BUZ110SLE3045 TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 55V V(BR)DSS | 80A I(D) | TO-263AB
BUZ111SE3045 TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 55V V(BR)DSS | 80A I(D) | TO-263AB
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
BUZ11-NR4941 功能描述:MOSFET N-CH 50V 30A TO-220AB 制造商:on semiconductor 系列:- 包裝:管件 零件狀態(tài):在售 FET 類型:N 溝道 技術(shù):MOSFET（金屬氧化物） 漏源電壓（Vdss）:50V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:30A（Tc） 驅(qū)動(dòng)電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:4V @ 1mA Vgs（最大值）:±20V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）（最大值）:2000pF @ 25V FET 功能:- 功率耗散（最大值）:75W（Tc） 不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:40 毫歐 @ 15A，10V 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安裝類型:通孔 供應(yīng)商器件封裝:TO-220-3 封裝/外殼:TO-220-3 標(biāo)準(zhǔn)包裝:800
BUZ11R4676 制造商:Rochester Electronics LLC 功能描述:- Bulk
BUZ11R4941 制造商:Fairchild Semiconductor Corporation 功能描述:Trans MOSFET N-CH 50V 30A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB 制造商:Fairchild Semiconductor 功能描述:Trans MOSFET N-CH 50V 30A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
BUZ11-R4941 制造商:Fairchild Semiconductor Corporation 功能描述:
BUZ11S2 制造商:INFINEON 制造商全稱:Infineon Technologies AG 功能描述:SIPMOS Power Transistor (N channel Enhancement mode Avalanche-rated)
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