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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | BUZ11A |
| 廠商： | 意法半導(dǎo)體 |
| 英文描述： | N-Channel 50V-0.045Ω-26A -TO-220 STripFETTM Power MOSFET(功率MOSFET) |
| 中文描述： | N溝道50V -0.045Ω- 26A條至220 STripFETTM功率MOSFET（功率MOSFET的） |
| 文件頁(yè)數(shù)： | 3/6頁(yè) |
| 文件大?。?/td> | 48K |
| 代理商： | BUZ11A |
ELECTRICAL CHARACTERISTICS
(continued)
SOURCE DRAIN DIODE
Symbol
Parameter
Test Conditions
Min.
Typ.
Max.
Unit
I
SD
I
SDM
Source-drain Current
Source-drain Current
(pulsed)
Forward On Voltage
26
104
A
A
V
SD
(
)
I
SD
= 60 A
V
GS
= 0
1.8
V
t
rr
Q
rr
Reverse Recovery
Time
Reverse Recovery
Charge
I
SD
= 26 A
V
DD
= 30 V
di/dt = 100 A/
μ
s
T
j
= 150
o
C
85
0.19
ns
μ
C
(
) Pulsed: Pulse duration =300
μ
s, duty cycle 1.5 %
BUZ11A
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相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
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| BX2606LNL | BROADBAND ACCESS: xDSL, HPN, CMCs |
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相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| BUZ11ACHIP | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 50V V(BR)DSS | 25A I(D) | CHIP |
| BUZ11AL | 制造商:Siemens 功能描述:MOSFET Transistor, N-Channel, TO-220AB |
| BUZ11CHIP | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 50V V(BR)DSS | 30A I(D) | CHIP |
| BUZ11FI | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 50V V(BR)DSS | 21A I(D) | TO-220VAR |
| BUZ11-NR4941 | 功能描述:MOSFET N-CH 50V 30A TO-220AB 制造商:on semiconductor 系列:- 包裝:管件 零件狀態(tài):在售 FET 類型:N 溝道 技術(shù):MOSFET（金屬氧化物） 漏源電壓（Vdss）:50V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:30A（Tc） 驅(qū)動(dòng)電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:4V @ 1mA Vgs（最大值）:±20V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）（最大值）:2000pF @ 25V FET 功能:- 功率耗散（最大值）:75W（Tc） 不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:40 毫歐 @ 15A，10V 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安裝類型:通孔 供應(yīng)商器件封裝:TO-220-3 封裝/外殼:TO-220-3 標(biāo)準(zhǔn)包裝:800 |
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