型號(hào): | BUZ10A |
英文描述: | OMNIFET FULLY AUTOPROTECTED POWER MOSFET |
中文描述: | 晶體管| MOSFET的| N溝道| 50V五(巴西)直| 17A條(?。﹟至220 |
文件頁(yè)數(shù): | 6/8頁(yè) |
文件大小: | 334K |
代理商: | BUZ10A |
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
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BUZ100S4 | TRANSISTOR | MOSFET | ARRAY | N-CHANNEL | 55V V(BR)DSS | 8A I(D) | SO |
BUZ100SE3045 | Omnifet: fully autoprotected Power MOSFET |
BUZ100SE3045A | N-Channel Enhancement MOSFET |
BUZ100SL4 | Omnifet: fully autoprotected Power MOSFET |
BUZ100SLE3045 | TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 55V V(BR)DSS | 70A I(D) | TO-263AB |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
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BUZ10L | 制造商:INFINEON 制造商全稱:Infineon Technologies AG 功能描述:SIPMOS Power Transistor (N channel Enhancement mode Avalanche-rated Logic Level) |
BUZ10S2 | 制造商:INFINEON 制造商全稱:Infineon Technologies AG 功能描述:SIPMOS Power Transistor (N channel Enhancement mode Avalanche-rated) |
BUZ11 | 功能描述:MOSFET TO-220 N-CH 50V 33A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS(導(dǎo)通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
BUZ11"NR4941 | 制造商:Fairchild Semiconductor Corporation 功能描述:N CH MOSFET 50V 30A TO-220AB 制造商:Fairchild Semiconductor Corporation 功能描述:N CH MOSFET, 50V, 30A, TO-220AB |
BUZ11_NR4941 | 功能描述:MOSFET N-Channel 50V 33A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS(導(dǎo)通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |