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參數(shù)資料
| 型號： | BUV28 |
| 廠商： | 意法半導(dǎo)體 |
| 英文描述： | Silicon NPN Switching Transistor(硅開關(guān)NPN晶體管) |
| 中文描述： | 硅NPN開關(guān)晶體管（硅開關(guān)npn型晶體管） |
| 文件頁數(shù)： | 2/4頁 |
| 文件大?。?/td> | 66K |
| 代理商： | BUV28 |
THERMAL DATA
R
thj-case
Thermal Resistance Junction-case Max
1.76
o
C/W
ELECTRICAL CHARACTERISTICS
(T
case
= 25
o
C unless otherwise specified)
Symbol
Parameter
Test Conditions
Min.
Typ.
Max.
Unit
I
CER
Collector Cut-off
Current (R
BE
= 5
0
)
Collector Cut-off
Current
V
CE
= 400V
T
c
= 125
o
C
3
mA
I
CEX
V
CE
= 400V
V
BE
= -1.5V T
c
= 125
o
C
1
mA
I
EBO
Emitter Cut-off
Current (I
C
= 0)
V
EB
= 5 V
1
mA
V
CEO(sus)
Collector-Emitter
Sustaining Voltage
V
EBO
Emitter-Base
Voltage (I
C
= 0)
V
CE(sat)
Collector-Emitter
Saturation Voltage
V
BE(sat)
Base-Emitter
Saturation Voltage
I
C
= 0.2 A L = 25mH
200
V
I
E
= 50mA
7
30
V
I
C
= 3A I
B
= 0.3A
I
C
= 6A I
B
= 0.6A
0.7
1.5
V
V
I
C
= 6A I
B
= 0.6A
2
V
t
on
t
s
t
f
RESISTIVE LOAD
Storage Time
Fall Time
Turn-on Time
V
CC
= 150V I
C
= 6A
V
BE
= - 6V I
B1
= 0.6A
R
BB
= 5
0.3
0.5
0.1
1
1.5
0.25
μ
s
μ
s
μ
s
t
s
t
f
t
s
t
f
INDUCTIVE LOAD
Storage time
Fall Time
Storage Time
Fall Time
V
CC
= 150V I
C
= 6A
I
B1
= 0.6A V
BE
= - 5V
L
B
=1
μ
H
V
CC
= 150V I
C
= 6A
I
B1
= 0.6A V
BE
= - 5V
L
B
= 1
μ
H T
j
= 125
o
C
1
0.04
3
0.2
μ
s
μ
s
μ
s
μ
s
Pulsed: Pulse duration = 300
μ
s, duty cycle = 2 %
BUV28
2/4
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