型號: | BUR51S |
英文描述: | TRANSISTOR | BJT | NPN | 250V V(BR)CEO | 60A I(C) | TO-3 |
中文描述: | 晶體管|晶體管|叩| 250V五(巴西)總裁| 60A章一(c)|至3 |
文件頁數(shù): | 1/1頁 |
文件大小: | 10K |
代理商: | BUR51S |
相關PDF資料 |
PDF描述 |
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BUR52S | NPN |
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相關代理商/技術參數(shù) |
參數(shù)描述 |
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BUR52 | 功能描述:兩極晶體管 - BJT DISC BY STM 08/01 TO-3 NPN PWR DARL RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
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