參數(shù)資料
型號(hào): BUP53R
英文描述: BJT
中文描述: 雙極型晶體管
文件頁數(shù): 2/2頁
文件大小: 15K
代理商: BUP53R
Parameter
Test Conditions
V
BE
= 1.5V
Min.
Typ.
Max.
0.1
5
0.1
0.6
0.8
1.1
1.4
Unit
mA
mA
V
V
m
A
SWITCHING CHARACTERISTICS
(Tcase= 25
°
C unless otherwise stated)
Storage Time
Fall Time
t
f
Prelim. 11/98
BUP53R
Semelab plc.
Telephone +44(0)1455 556565. Fax +44(0)1455 552612.
E-mail:
sales@semelab.co.uk
Website:
http://www.semelab.co.uk
0.4
0.6
1.0
1.2
35
15
15
5
1.8
0.35
V
CEX
= 400V
T
C
= 150
°
C
V
BE
= 8V
I
C
= 20A
I
C
= 40A
I
C
= 20A
I
C
= 40A
I
C
= 20A
I
C
= 40A
I
B
= 2A
I
B
= 8A
I
B
= 2A
I
B
= 5A
V
CE
= 4V
V
CE
= 4V
I
C
= 30A
V
CC
= 200V
I
B1
=
I
B2
=10 A
ELECTRICAL CHARACTERISTICS
(Tcase= 25
°
C unless otherwise stated)
Collector Cut
Off Current
Emitter Cut
Off Current
Collector
Emitter Saturation
Voltage
Base
Emitter Saturation Voltage
DC Current Gain
I
CEX
I
EBO
V
CE(sat)*
V
BE(sat)*
h
FE
t
s
相關(guān)PDF資料
PDF描述
BUP53 Bipolar NPN Device in a Hermetically sealed TO3 Metal Package.
BUP60 TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 370V V(BR)DSS | 13A I(D) | TO-3
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BUP61 TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 370V V(BR)DSS | 13A I(D) | TO-3
BUP63 TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 420V V(BR)DSS | 13A I(D) | TO-3
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
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