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參數資料
| 型號： | BUP31 |
| 英文描述： | TRANSISTOR | BJT | PNP | 30V V(BR)CEO | 20A I(C) | TO-220AB |
| 中文描述： | 晶體管|晶體管|進步黨| 30V的五（巴西）總裁|甲一（c）| TO - 220AB現有 |
| 文件頁數： | 2/2頁 |
| 文件大小： | 88K |
| 代理商： | BUP31 |
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| BUP32 | TRANSISTOR | BJT | NPN | 30V V(BR)CEO | 30A I(C) | SOT-93 |
| BUP33 | TRANSISTOR | BJT | PNP | 30V V(BR)CEO | 30A I(C) | SOT-93 |
| BUP34 | TRANSISTOR | BJT | NPN | 900V V(BR)CEO | 1A I(C) | TO-220AB |
| BUP35 | TRANSISTOR HOCHSPANNUNG BIPOLAR |
| BUP36 | TRANSISTOR | BJT | NPN | 800V V(BR)CEO | 15A I(C) | SOT-93 |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
| BUP311D | 功能描述:IGBT 晶體管 1200V, 20A RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:650 V 集電極—射極飽和電壓:2.3 V 柵極/發(fā)射極最大電壓:20 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:150 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:TO-247 封裝:Tube |
| BUP313 | 功能描述:IGBT 晶體管 LOW LOSS IGBT 1200V 15A RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:650 V 集電極—射極飽和電壓:2.3 V 柵極/發(fā)射極最大電壓:20 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:150 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:TO-247 封裝:Tube |
| BUP313D | 功能描述:IGBT 晶體管 LOW LOSS DuoPack 1200V 15A RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:650 V 集電極—射極飽和電壓:2.3 V 柵極/發(fā)射極最大電壓:20 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:150 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:TO-247 封裝:Tube |
| BUP313D | 制造商:Infineon Technologies AG 功能描述:IGBT TO-218 |
| BUP313DQ67040-A4228-A2 | 制造商:INFINEON 制造商全稱:Infineon Technologies AG 功能描述:TRANSISTOR DUOPACK IGBT |
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