參數(shù)資料
型號： BULD39D-1
廠商： 意法半導體
英文描述： High Voltage Fast-Switching NPN Power Transistor
中文描述： 高壓快速NPN電源開關(guān)晶體管
文件頁數(shù)： 4/12頁
文件大?。?/td> 238K
代理商： BULD39D-1
Electrical characteristics
BULD39D-1 - BULD39DT4
4/12
2
Electrical characteristics
(T
case
= 25°C unless otherwise specified)
Table 3.
Electrical characteristics
Note (1) Pulsed duration = 300
μ
s, duty cycle
≤
1.5%
Symbol
Parameter
Test Conditions
Min.
Typ.
Max.
Unit
I
CES
Collector cut-off current
(V
BE
= 0)
V
CE
= 850V
V
CE
= 850V T
j
= 125°C
100
500
μ
A
μ
A
I
EBO
Emitter cut-off current
(I
C
=0)
V
EB
= 9V
100
μ
A
V
CEO(sus)
Collector-emitter
sustaining voltage
(I
B
= 0)
I
C
= 100mA L = 25 mH
450
V
V
CE(sat) (1)
Collector-emitter
saturation voltage
I
C
= 1A I
B
= 0.2A
I
C
= 2.5A I
B
= 0.5A
0.13
0.5
1.1
V
V
V
BE(sat) (1)
Base-emitter saturation
voltage
I
C
= 1A I
B
= 0.2A
I
C
= 2.5A I
B
= 0.5A
1.1
1.3
V
V
h
FE (1)
DC current gain
I
C
= 10mA V
CE
= 5
I
C
= 5A V
CE
= 10V
10
4
V
CEW
Maximum collector
emitter voltage without
snubber
I
C
= 6A R
BB
= 0
V
BB
= -2.5V L = 50
μ
H
t
P
≥
10
μ
s
450
V
t
s
t
f
Inductive load
Storage time
Fall time
I
C
= 2.5A I
B(on)
= 0.5A
V
BE(off)
= -5V R
BB
= 0
V
CL
= 300V L = 1mH
0.7
50
1.5
100
μ
s
ns
V
f
Diode forward voltage
I
C
= 2A
1.5
V
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