參數(shù)資料
型號(hào)： BUL98
廠商： 意法半導(dǎo)體
英文描述： High voltage fast-switching NPN power transistor
中文描述： 高壓快速NPN電源開(kāi)關(guān)晶體管
文件頁(yè)數(shù)： 4/10頁(yè)
文件大小： 205K
代理商： BUL98
Electrical characteristics
BUL98
4/10
2
Electrical characteristics
(T
case
= 25°C unless otherwise specified)
Table 3.
Electrical characteristics
Note (1) Pulsed duration = 300
μ
s, duty cycle
≤
1.5%
Symbol
Parameter
Test Conditions
Min.
Typ.
Max.
Unit
I
CES
Collector cut-off current
(V
BE
=0)
V
CE
= 800V
V
CE
= 800V T
j
= 125°C
100
500
μ
A
μ
A
I
CEO
Collector-emitter current
(I
B
=0)
V
CE
= 450V
100
μ
A
V
CEO(sus)(1)
Collector-emitter
sustaining voltage (I
B
= 0)
I
C
=10mA L = 25mH
450
V
V
EBO
Emitter-base voltage
(I
C
= 0)
I
E
=10mA
9
V
V
CE(sat) (1)
Collector-emitter
saturation voltage
I
C
=5A
_ _
I
B
=1A
I
C
=9A
_ _
I
B
=1.8A
I
C
=12A
__ _
I
B
=2.4A
0.15
0.3
0.5
0.5
0.8
1.5
V
V
V
V
BE(sat) (1)
Base-emitter saturation
voltage
I
C
=5A
_ _
I
B
=1A
I
C
=9A
_ _
I
B
=1.8A
I
C
=12A
__ _
I
B
=2.4A
0.95
1
1.1
1.2
1.3
1.4
V
V
V
h
FE (1)
DC current gain
I
C
=10mA V
CE
=5V
I
C
=5A V
CE
=5V
10
15
35
t
s
t
f
Inductive load
Storage time
Fall time
V
CL
=350V I
C
=9A
V
BE(off)
=-5V I
B1
=1.8A
L =200
μ
H R
BB(off)
=0
(see figure 8)
1.1
55
1.8
100
μ
s
ns
t
s
t
f
Inductive load
Storage time
Fall time
V
CL
=350V I
C
=9A
V
BE(off)
=-5V I
B1
=1.8A
L =200
μ
H R
BB(off)
=0
T
j
= 100°C (see figure 8)
1.5
80
μ
s
ns
相關(guān)PDF資料
PDF描述
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