參數(shù)資料
型號： BUL903
廠商： 意法半導體
英文描述： HIGH VOLTAGE FAST-SWITCHING NPN POWER TRANSISTOR
中文描述： 高壓快速開關(guān)NPN電源晶體管
文件頁數(shù)： 2/6頁
文件大小： 66K
代理商： BUL903
THERMAL DATA
R
thj-case
R
thj-amb
Thermal Resistance Junction-Case
Thermal Resistance Junction-Ambient
Max
Max
1.8
62.5
o
C/W
o
C/W
ELECTRICAL CHARACTERISTICS
(T
case
= 25
o
C unlessotherwise specified)
Symbol
Parameter
Test Conditions
Min.
Typ.
Max.
Unit
I
CES
Collector Cut-off
Current (V
BE
= 0)
Base-Emitter Leakage
Current
Collector-Emitter
Sustaining Voltage
(I
B
= 0)
Collector-Emitter
Saturation Voltage
Base-Emitter
Saturation Voltage
V
CE
= 900 V
1
mA
I
EBO
V
EB
= 7 V
100
μ
A
V
CEO(sus)
I
C
= 10 mA
L = 25 mH
400
V
V
CE(sat)
I
C
= 1 A
I
B
= 0.15 A
1.0
V
V
BE(sat)
I
C
= 0.1 A
I
C
= 0.5 A
I
C
= 2.0 A
I
C
= 5 mA
I
C
= 0.5 A
I
B
= 0.05 A
I
B
= 0.1 A
I
B
= 0.4 A
V
CE
= 10 V
V
CE
= 3 V
1.0
1.1
1.2
V
V
V
h
FE
DC Current Gain
8
20
V
F
Parallel Diode Forward
Voltage
RESISTIVE LOAD
Delay Time
Rise Time
Storage Time
Fall Time
I
F
= 3 A
1.2
V
t
d
t
r
t
s
t
f
V
CC
= 125 V
I
B1
= 0.05 A
t
p
= 300
μ
s
I
C
= 0.7 A
I
B2
= 0.4 A
0.2
1.0
0.8
0.25
μ
s
μ
s
μ
s
μ
s
t
d
t
r
t
s
t
f
RESISTIVE LOAD
Delay Time
Rise Time
Storage Time
Fall Time
V
CC
= 125 V
I
B1
= 0.045 A
t
p
= 300
μ
s
I
C
= 0.5 A
I
B2
= 0.5 A
0.2
0.5
0.8
0.5
μ
s
μ
s
μ
s
μ
s
T
RR
Diode Reverse
Recovery Time
Avalanche Energy
I
F
= 1 A
V
DD
= 30 V
L = 2 mH
di/dt = 100 A/
μ
s
300
ns
E
sb
6
mJ
Pulsed: Pulse duration = 300
μ
s, duty cycle 1.5 %
BUL903ED
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PDF描述
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