參數(shù)資料
型號： BUL87
廠商： 意法半導(dǎo)體
英文描述： High Voltage Fast-Switching NPN Power Transistor(高電壓快速開關(guān)NPN功率晶體管)
中文描述： 高壓快速NPN電源開關(guān)晶體管（高電壓快速開關(guān)npn型功率晶體管）
文件頁數(shù)： 2/6頁
文件大?。?/td> 76K
代理商： BUL87
THERMAL DATA
R
thj-case
R
thj-amb
Thermal Resistance Junction-Case
Thermal Resistance Junction-Ambient
Max
Max
1.14
62.5
o
C/W
o
C/W
ELECTRICAL CHARACTERISTICS
(T
case
= 25
o
C unless otherwise specified)
Symbol
Parameter
Test Conditions
Min.
Typ.
Max.
Unit
μ
A
μ
A
μ
A
I
CES
Collector Cut-off
Current (V
BE
= 0)
Collector Cut-off
Current (I
B
= 0)
Collector-Emitter
Sustaining Voltage
Emitter-Base Voltage
(I
C
= 0)
Collector-Emitter
Saturation Voltage
V
CE
= 700 V
V
CE
= 700 V
V
CE
= 400 V
T
j
= 125
o
C
100
500
I
CEO
250
V
CEO(sus)
I
C
= 100 mA
L = 25 mH
400
V
V
EBO
I
E
= 10 mA
9
V
V
CE(sat)
I
C
= 2 A
I
C
= 5 A
I
C
= 8 A
I
C
= 2 A
I
C
= 5 A
I
C
= 5 A
I
C
= 10 mA
I
C
= 4 A
V
BE(off)
= -5 V
V
CL
= 250 V
I
C
= 4 A
V
BE(off)
= -5 V
V
CL
= 250 V
T
j
= 125
o
C
I
B
= 0.4 A
I
B
= 1 A
I
B
= 2 A
I
B
= 0.4 A
I
B
= 1 A
V
CE
= 5 V
V
CE
= 5 V
I
B1
= 0.8 A
L
BB
= 3
μ
H
L = 200
μ
H
I
B1
= 0.8 A
L
BB
= 3
μ
H
L = 200
μ
H
0.75
1
1.5
V
V
V
V
BE(sat)
Base-Emitter
Saturation Voltage
1.2
1.6
V
V
h
FE
DC Current Gain
8
10
40
t
s
t
f
INDUCTIVE LOAD
Storage Time
Fall Time
2.2
100
3.4
165
μ
s
ns
t
s
t
f
INDUCTIVE LOAD
Storage Time
Fall Time
2.8
200
μ
s
ns
Pulsed:Pulseduration = 300
μ
s,duty cycle1.5 %
Safe OperatingAreas
Derating Curve
BUL87
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PDF描述
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參數(shù)描述
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BUL903ED_01 制造商:STMICROELECTRONICS 制造商全稱:STMicroelectronics 功能描述:HIGH VOLTAGE FAST-SWITCHING NPN POWER TRANSISTOR
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