參數(shù)資料
型號(hào)： BUL741
廠商： 意法半導(dǎo)體
英文描述： High voltage fast-switching NPN Power Transistor
中文描述： 高壓快速開關(guān)NPN電源晶體管
文件頁(yè)數(shù)： 3/10頁(yè)
文件大?。?/td> 309K
代理商： BUL741
BUL741
Electrical characteristics
3/10
2
Electrical characteristics
(T
case
= 25°C unless otherwise specified)
Table 3.
Electrical characteristics
Note (1) Pulsed duration = 300
μ
s, duty cycle
≤
1.5%
Symbol
Parameter
Test conditions
Min.
Typ.
Max.
Unit
I
CES
Collector cut-off current
(V
BE
=0V)
V
CE
=1050V
0.2
10
μ
A
I
CEO
Collector cut-off current
(I
B
=0)
V
CE
=400V
10
250
μ
A
V
(BR)EBO
Emitter-base breakdown
voltage (I
C
= 0)
I
E
=1mA
15
19
24
V
V
CEO(sus) (1)
Collector-emitter
sustaining voltage
(I
B
= 0)
I
C
=10mA
400
450
V
V
CE(sat) (1)
Collector-emitter
saturation voltage
I
C
=0.7A I
B
=0.14A
I
C
=2A I
B
=0.6A
0.15
0.5
0.5
1.5
V
V
V
BE(sat) (1)
Base-emitter saturation
voltage
I
C
=2A I
B
=0.6A
1.1
1.5
V
h
FE
DC current gain
I
C
=0.1A V
CE
=5V
I
C
=0.45A V
CE
=3V
48
25
70
35
100
50
t
s
t
f
Resistive load
Storage time
Fall time
V
CC
=125V I
C
=1A
I
B1
= -I
B2
=0.2A t
p
= 300
μ
s
V
BE(off)
=-5V
2.5
350
3.5
500
μ
s
ns
E
ar
Repetitive avalanche
energy
L =2mH C =1.8nF
V
BE(off)
=-5V
5
mJ
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