參數(shù)資料
型號： BUL704
廠商： 意法半導(dǎo)體
英文描述： High voltage fast-switching NPN Power Transistor
中文描述： 高壓快速開關(guān)NPN電源晶體管
文件頁數(shù)： 3/11頁
文件大?。?/td> 243K
代理商： BUL704
BUL704
Electrical ratings
3/11
1
Electrical ratings
Table 1.
Table 2.
Thermal data
Absolute maximum rating
Symbol
Parameter
Value
Unit
V
CES
Collector-emitter voltage (V
BE
= 0)
700
V
V
CEO
Collector-emitter voltage (I
B
= 0)
400
V
V
EBO
Emitter-base voltage (I
C
= 0)
10
V
I
C
Collector current
4
A
I
CM
Collector peak current (t
P
< 5ms)
8
A
I
B
Base current
2
A
I
BM
Base peak current (t
P
< 5ms)
4
A
P
tot
Total dissipation at T
c
= 25°C
70
W
T
stg
Storage temperature
-65 to 150
°C
T
J
Max. operating junction temperature
150
°C
Symbol
Parameter
Value
Unit
R
thj-case
R
thj-amb
Thermal resistance junction-case
__
max
Thermal resistance junction-amb
__
max
1.78
62.5
°C/W
°C/W
相關(guān)PDF資料
PDF描述
BUL705 High voltage fast-switching NPN Power Transistor
BUL7216 HIGH VOLTAGE FAST-SWITCHING NPN POWER TRANSISTOR
BUL741 High voltage fast-switching NPN Power Transistor
BUL742CFP High voltage fast-switching
BUL742 HIGH VOLTAGE FAST-SWITCHING NPN POWER TRANSISTOR
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
BUL705 功能描述:兩極晶體管 - BJT Hi Vltg FAST SWITCH PNP Pwr TRANSISTOR RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
BUL70A 制造商:SEME-LAB 制造商全稱:Seme LAB 功能描述:ADVANCED DISTRIBUTED BASE DESIGN HIGH VOLTAGE HIGH SPEED NPN SILICON POWER TRANSISTOR
BUL7216 功能描述:兩極晶體管 - BJT HIGH VOLTAGE FAST SWITCHING NPN POWER RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
BUL72A 制造商:SEME-LAB 制造商全稱:Seme LAB 功能描述:ADVANCED DISTRIBUTED BASE DESIGN HIGH VOLTAGE HIGH SPEED NPN SILICON POWER TRANSISTOR
BUL72B 制造商:SEME-LAB 制造商全稱:Seme LAB 功能描述:ADVANCED DISTRIBUTED BASE DESIGN HIGH VOLTAGE HIGH SPEED NPN SILICON POWER TRANSISTOR
發(fā)布緊急采購，3分鐘左右您將得到回復(fù)。

采購需求

(若只采購一條型號，填寫一行即可)

發(fā)布成功！您可以繼續(xù)發(fā)布采購。也可以進入我的后臺，查看報價

發(fā)布成功！您可以繼續(xù)發(fā)布采購。也可以進入我的后臺，查看報價

*型號 *數(shù)量 廠商 批號 封裝
添加更多采購

我的聯(lián)系方式

*
*
*