| 型號: | BUL63A |
| 英文描述: | BJT |
| 中文描述: | 雙極型晶體管 |
| 文件頁數(shù): | 2/2頁 |
| 文件大?。?/td> | 18K |
| 代理商: | BUL63A |

相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| BUL65A | TRANSISTOR | BJT | NPN | 300V V(BR)CEO | 7A I(C) | TO-251AA |
| BUL69 | NPN |
| BUL70A | ADVANCED DISTRIBUTED BASE DESIGN HIGH VOLTAGE HIGH SPEED NPN SILICON POWER TRANSISTOR |
| BUL72BLCC4 | NPN |
| BUL72B-LCC4 | TRANSISTOR | BJT | NPN | 100V V(BR)CEO | 8A I(C) | LLCC |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| BUL63B | 制造商:SEME-LAB 制造商全稱:Seme LAB 功能描述:ADVANCED DISTRIBUTED BASE DESIGN HIGH VOLTAGE HIGH SPEED NPN SILICON POWER TRANSISTOR |
| BUL642D2 | 制造商:ONSEMI 制造商全稱:ON Semiconductor 功能描述:High Speed, High Gain Bipolar NPN Transistor with Integrated Collector−Emitter and Built−in Efficient Antisaturation Network |
| BUL642D2G | 功能描述:兩極晶體管 - BJT BIP NPN 3A 825V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| BUL64A | 制造商:SEME-LAB 制造商全稱:Seme LAB 功能描述:ADVANCED DISTRIBUTED BASE DESIGN HIGH VOLTAGE HIGH SPEED NPN SILICON POWER TRANSISTOR |
| BUL64B | 制造商:SEME-LAB 制造商全稱:Seme LAB 功能描述:ADVANCED DISTRIBUTED BASE DESIGN HIGH VOLTAGE HIGH SPEED NPN SILICON POWER TRANSISTOR |