參數(shù)資料
型號(hào)： BUL58D
廠商： 意法半導(dǎo)體
英文描述： High Voltage Fast-Switching NPN Power Transistors(高壓快速NPN功率晶體管)
中文描述： 高壓快速NPN電源開關(guān)晶體管（高壓快速npn型功率晶體管）
文件頁(yè)數(shù)： 2/6頁(yè)
文件大小： 75K
代理商： BUL58D
THERMAL DATA
R
thj-case
R
thj-amb
Thermal Resistance Junction-Case
Thermal Resistance Junction-Ambient
Max
Max
1.47
62.5
o
C/W
o
C/W
ELECTRICAL CHARACTERISTICS
(T
case
= 25
o
C unlessotherwise specified)
Symbol
Parameter
Test Conditions
Min.
Typ.
Max.
Unit
I
CES
Collector Cut-off
Current (V
BE
= 0)
V
CE
= 800 V
V
CEO
= 800 V
T
j
= 125
o
C
200
500
μ
A
μ
A
μ
A
I
CEO
Collector Cut-off
Current (I
B
= 0)
Collector-Emitter
Sustaining Voltage
Emitter-Base Voltage
(I
C
= 0)
Collector-Emitter
Saturation Voltage
V
CE
= 450 V
200
V
CEO(sus)
I
C
= 100 mA
L = 25 mH
450
V
V
EBO
I
E
= 10 mA
9
V
V
CE(sat)
I
C
= 4 A
I
C
= 5 A
I
B
= 0.8 A
I
B
= 1 A
1.5
2
V
V
V
BE(sat)
Base-Emitter
Saturation Voltage
I
C
= 4 A
I
C
= 5 A
I
B
= 0.8 A
I
B
= 1 A
1.3
1.5
V
V
h
FE
DC Current Gain
I
C
= 5 A
I
C
= 500 mA
I
C
= 2 A
V
BE(off)
= -5 V
V
CL
= 250 V
V
CE
= 5 V
V
CE
= 5 V
I
B1
= 0.4 A
R
BB
= 0
L = 200
μ
H
5
38
t
s
t
f
INDUCTIVE LOAD
Storage Time
Fall Time
1
90
1.8
180
μ
s
ns
t
s
t
f
INDUCTIVE LOAD
Storage Time
Fall Time
I
C
= 2 A
V
BE(off)
= -5 V
V
CL
= 250 V
T
j
= 125
o
C
I
C
= 3 A
I
B1
= 0.4 A
R
BB
= 0
L = 200
μ
H
1.5
180
μ
s
ns
V
f
Diode Forward Voltage
3
V
Pulsed: Pulse duration = 300
μ
s, duty cycle 1.5 %
Safe OperatingAreas
DeratingCurve
BUL58D
2/6
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PDF描述
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BU-L6-250 功能描述:LUG 6 AWG 1/4" STUD 制造商:mueller electric co 系列:- 包裝:散裝 零件狀態(tài):在售 端子類型:圓形，管狀 螺柱/凸片尺寸:1/4 接線柱 厚度:0.065"（1.65mm） 寬度 - 外邊緣:0.550"（13.97mm） 長(zhǎng)度 - 總:1.470"（37.34mm） 安裝類型:自由懸掛 端接:壓接 線規(guī):6 AWG 絕緣:非絕緣 特性:- 顏色:- 觸頭材料:銅 觸頭鍍層:- 絕緣層直徑:- 材料 - 絕緣:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1
BUL62A 制造商:SEME-LAB 制造商全稱:Seme LAB 功能描述:ADVANCED DISTRIBUTED BASE DESIGN HIGH VOLTAGE HIGH SPEED NPN SILICON POWER TRANSISTOR
BUL62B 制造商:SEME-LAB 制造商全稱:Seme LAB 功能描述:ADVANCED DISTRIBUTED BASE DESIGN HIGH VOLTAGE HIGH SPEED NPN SILICON POWER TRANSISTOR
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