參數(shù)資料
型號(hào)： BUL3P5
廠商： 意法半導(dǎo)體
英文描述： MEDIUM VOLTAGE FAST-SWITCHING PNP POWER TRANSISTOR
中文描述： 中壓快速開關(guān)PNP功率晶體管
文件頁(yè)數(shù)： 3/10頁(yè)
文件大小： 204K
代理商： BUL3P5
BUL3P5
2 Electrical Characteristics
3/10
2
Electrical Characteristics
Table 3.
Electrical Characteristics
(T
CASE
= 25°C; unless otherwise specified)
Note: 1 Pulsed duration = 300
μ
s, duty cycle
≤
1.5%.
Symbol
Parameter
Test Conditions
Min.
Typ.
Max.
Unit
I
CES
Collector Cut-off Current
(V
BE
= 0)
V
CE
= -500 V
V
CE
= -500 V
__ __
T
C
= 125°C
-0.1
-0.5
mA
mA
V
(BR)EBO
Emitter-Base Breakdown Voltage
(I
C
= 0)
I
E
= -10 mA
-5
-10
V
V
CEO(sus)
Note: 1
Collector-Emitter
Sustaining Voltage (I
B
= 0)
I
C
= 100 mA
-400
V
V
CE(sat)
Note: 1
Collector-Emitter Saturation
Voltage
I
C
= -0.7 A
__ _
I
B
= -0.1A
I
C
= -1 A
__ _
I
B
= -0.2 A
-0.5
-0.5
V
V
V
BE(sat)
Note: 1
Base-Emitter Saturation Voltage
I
C
= -0.5A
____
I
B
= -0.1 A
I
C
= -1A
_____
I
B
= -0.2 A
I
C
= -2A
_____
I
B
= -0.4 A
-1.1
-1.2
-1.3
V
V
V
h
FE
DC Current Gain
I
C
= -10 mA
__
V
CE
= -5 V
I
C
= -0.7A
_ __
V
CE
= -5 V
I
C
= -2A
_
V
CE
= -5 V
10
18
4
34
t
r
t
s
t
f
RESISTIVE LOAD
Rise Time
Storage Time
Fall Time
I
C
= -0.7 A
___
V
CC
= -250 V
I
B1
= -0.14 A
__
I
B2
= 0.14 A
T
p
= 30
μ
s
100
2.4
80
ns
μ
s
ns
t
s
t
f
INDUCTIVE LOAD
Storage Time
Fall Time
I
C
= -1 A
____
I
B1
= -0.2 A
V
BE(off)
= 5 V R
bb
= 0
L = 1 mH V
clamp
= 200 V
450
70
ns
ns
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