參數(shù)資料
型號： BUL3N7
廠商： 意法半導(dǎo)體
英文描述： MEDIUM VOLTAGE FAST-SWITCHING NPN POWER TRANSISTOR
中文描述： 中壓快速開關(guān)NPN電源晶體管
文件頁數(shù)： 3/10頁
文件大?。?/td> 191K
代理商： BUL3N7
BUL3N7
2 Electrical Characteristics
3/10
2
Electrical Characteristics
Table 3.
Electrical Characteristics
(T
CASE
= 25°C; unless otherwise specified)
Note: 1 Pulsed duration = 300
μ
s, duty cycle
≤
1.5%.
Symbol
Parameter
Test Conditions
Min.
Typ.
Max.
Unit
I
CES
Collector Cut-off Current
(V
BE
= 0)
V
CE
= 700 V
V
CE
= 700 V
__ __
T
C
= 125°C
0.1
0.5
mA
mA
V
(BR)EBO
Emitter-Base Breakdown Voltage
(I
C
= 0)
I
E
= 10 mA
10
18
V
V
CEO(sus)
Note: 1
Collector-Emitter
Sustaining Voltage (I
B
= 0)
I
C
= 100 mA
400
V
V
CE(sat)
Note: 1
Collector-Emitter Saturation
Voltage
I
C
= 0.7 A
__ _
I
B
= 0.1A
I
C
= 1 A
__ _
I
B
= 0.2 A
0.5
0.5
V
V
V
BE(sat)
Note: 1
Base-Emitter Saturation Voltage
I
C
= 0.5A
____
I
B
= 0.1 A
I
C
= 1A
_____
I
B
= 0.2 A
I
C
= 2A
_____
I
B
= 0.4 A
1.1
1.2
1.3
V
V
V
h
FE
DC Current Gain
I
C
= 10 mA
_
V
CE
= 5 V
I
C
= 0.7A
____
V
CE
= 5 V
I
C
= 2A
_
V
CE
= 5 V
10
18
4
34
t
r
t
s
t
f
RESISTIVE LOAD
Rise Time
Storage Time
Fall Time
I
C
= 0.7 A
___
V
CC
= 250 V
I
B1
= 0.14 A
__
I
B2
= -0.14 A
T
p
= 30
μ
s
80
2.4
100
ns
μ
s
ns
t
s
t
f
INDUCTIVE LOAD
Storage Time
Fall Time
I
C
= 1 A
____
I
B1
= 0.2 A
V
BE(off)
= -5 V R
bb
= 0
L = 1 mH V
clamp
= 200 V
450
120
ns
ns
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PDF描述
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參數(shù)描述
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