參數(shù)資料
型號(hào)： BUL38D
廠商： 意法半導(dǎo)體
英文描述： High Voltage Fast-Switching NPN Power Transistor(高壓快速開(kāi)關(guān)NPN功率晶體管)
中文描述： 高壓快速NPN電源開(kāi)關(guān)晶體管（高壓快速開(kāi)關(guān)npn型功率晶體管）
文件頁(yè)數(shù)： 2/6頁(yè)
文件大小： 65K
代理商： BUL38D
THERMAL DATA
R
thj-case
R
thj-amb
Thermal Resistance Junction-Case
Thermal Resistance Junction-Ambient
Max
Max
1.56
62.5
o
C/W
o
C/W
ELECTRICAL CHARACTERISTICS
(T
case
= 25
o
C unlessotherwise specified)
Symbol
Parameter
Test Conditions
Min.
Typ.
Max.
Unit
I
CES
Collector Cut-off
Current (V
BE
= 0)
V
CE
= 800 V
V
CE
= 800 V
T
j
= 125
o
C
100
500
μ
A
μ
A
μ
A
I
CEO
Collector Cut-off
Current (I
B
= 0)
Collector-Emitter
Sustaining Voltage
Emitter-Base Voltage
(I
C
= 0)
Collector-Emitter
Saturation Voltage
V
CE
= 450 V
250
V
CEO(sus)
I
C
= 100 mA
L = 25 mH
450
V
V
EBO
I
E
= 10 mA
9
V
V
CE(sat)
I
C
= 1 A
I
C
= 2 A
I
C
= 3 A
I
C
= 1 A
I
C
= 2 A
I
B
= 0.2 A
I
B
= 0.4 A
I
B
= 0.75 A
I
B
= 0.2 A
I
B
= 0.4 A
0.5
0.7
1.1
V
V
V
V
BE(sat)
Base-Emitter
Saturation Voltage
1.1
1.2
V
V
h
FE
DC Current Gain
I
C
= 2 A
Group A
Group B
I
C
= 10 mA
V
CE
= 5 V
V
CE
= 5 V
8
13
22
10
23
32
t
s
t
f
INDUCTIVE LOAD
Storage Time
Fall Time
I
C
= 2 A
V
BE(off)
= -5 V
V
CL
= 250 V
I
B1
= 0.4 A
R
BB
= 0
L = 200
μ
H
1
55
1.8
100
μ
s
ns
t
s
t
f
INDUCTIVE LOAD
Storage Time
Fall Time
I
C
= 2 A
V
BE(off)
= -5 V
V
CL
= 250 V
T
j
= 125
C
I
C
= 2 A
I
B1
= 0.4 A
R
BB
= 0
L = 200
μ
H
1.3
100
μ
s
ns
V
f
Diode Forward Voltage
2.5
V
Pulsed: Pulse duration = 300
μ
s, duty cycle 1.5 %
Note : Productwill be pre-selected in DC current gain (GROUP A and GROUP B) starting from August’98 datacode. SGS-THOMSON
reserves the right to ship either groups according toproduction availability. Please contact your nearest SGS THOMSON
MICROELECTRONICS sales office fordelivery details.
Safe OperatingAreas
Reverse Biased SOA
BUL38D
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PDF描述
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