參數(shù)資料
型號(hào)： BUL1603ED
廠商： 意法半導(dǎo)體
英文描述： HIGH VOLTAGE FAST-SWITCHING NPN POWER TRANSISTOR
中文描述： 高壓快速開關(guān)NPN電源晶體管
文件頁數(shù)： 2/6頁
文件大?。?/td> 186K
代理商： BUL1603ED
THERMAL DATA
R
thj-case
R
thj-amb
Thermal Resistance Junction-Case Max
Thermal Resistance Junction-Ambient Max
1.56
62.5
o
C/W
o
C/W
ELECTRICAL CHARACTERISTICS
(T
case
= 25
o
C unless otherwise specified)
Symbol
Parameter
Test Conditions
Min.
Typ.
Max.
Unit
I
CES
Collector Cut-off
Current (V
BE
= 0)
Emitter Cut-off Current
(I
C
= 0)
Collector-Emitter
Breakdown Voltage
(V
BE
= 0)
V
CEO(sus)
Collector-Emitter
Sustaining Voltage
(I
B
= 0)
V
(BR)EBO
Emitter-Base
Breakdown Voltage
(I
C
= 0)
V
CE(sat)
Collector-Emitter
Saturation Voltage
V
BE(sat)
Base-Emitter
Saturation Voltage
h
FE
DC Current Gain
V
CE
= 1550 V
100
μ
A
I
EBO
V
EB
= 9 V
100
μ
A
V
(BR)CES
I
C
= 10 mA
I
C
= 100
μ
A
1600
1550
V
V
I
C
= 100 mA L = 25 mH
650
V
I
E
= 10 mA
11
18
V
I
C
= 1 A I
B
= 0.25 A
I
C
= 0.25 A I
B
= 0.025 A
1.5
1.5
V
V
I
C
= 1 A I
B
= 0.25 A
1.2
V
I
C
= 5 mA V
CE
= 10 V
I
C
= 0.4 A V
CE
= 3 V
I
C
= 1 A V
CE
= 1.5 V
18
15
4
40
t
d
t
r
t
s
t
f
RESISTIVE LOAD
Delay Time
Rise Time
Storage Time
Fall Time
I
C
= 0.5 A V
CC
= 125 V
I
B1
= 0.05 A I
B2
= -0.25 A
D.C. = 2% P.W. = 300
μ
s
(see figure 1)
0.3
0.8
1.2
0.35
μ
s
μ
s
μ
s
μ
s
E
ar
Repetitive Avalanche
Energy
L = 2 mH C = 1.8 nF
V
CC
= 50 V V
BE
= -5 V
(see figure 2)
6
mJ
Pulsed: Pulse duration = 300
μ
s, duty cycle 1.5 %
BUL1603ED
2/6
相關(guān)PDF資料
PDF描述
BUL213 HIGH VOLTAGE FAST-SWITCHING NPN POWER TRANSISTOR
BUL216 HIGH VOLTAGE FAST-SWITCHING NPN POWER TRANSISTOR
BUL310FP High Voltage Fast-Switching NPN Power Transistor(高壓快速開關(guān)NPN功率晶體管)
BUL310 High Voltage Fast-Switching NPN Power Transistors(高壓快速NPN功率晶體管)
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參數(shù)描述
BUL1604ED 功能描述:兩極晶體管 - BJT PWR BIP/S.SIGNAL RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
BUL213 功能描述:兩極晶體管 - BJT NPN Hi-Volt Fast Sw RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
BUL213_03 制造商:STMICROELECTRONICS 制造商全稱:STMicroelectronics 功能描述:HIGH VOLTAGE FAST-SWITCHING NPN POWER TRANSISTOR
BUL216 功能描述:兩極晶體管 - BJT NPN Hi-Volt Fast Sw RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
BUL216_01 制造商:STMICROELECTRONICS 制造商全稱:STMicroelectronics 功能描述:HIGH VOLTAGE FAST-SWITCHING NPN POWER TRANSISTOR
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