- 您現(xiàn)在的位置：買賣IC網(wǎng) > PDF目錄382872 > BUL138 (意法半導(dǎo)體) HIGH VOLTAGE FAST-SWITCHING NPN POWER TRANSISTOR PDF資料下載
參數(shù)資料
| 型號(hào)： | BUL138 |
| 廠商： | 意法半導(dǎo)體 |
| 英文描述： | HIGH VOLTAGE FAST-SWITCHING NPN POWER TRANSISTOR |
| 中文描述： | 高壓快速開關(guān)NPN電源晶體管 |
| 文件頁數(shù)： | 2/6頁 |
| 文件大小： | 69K |
| 代理商： | BUL138 |
THERMAL DATA
R
thj-case
R
thj-amb
Thermal Resistance Junction-case
Thermal Resistance Junction-ambient
Max
Max
1.56
62.5
o
C/W
o
C/W
ELECTRICAL CHARACTERISTICS
(T
case
= 25
o
C unlessotherwise specified)
Symbol
Parameter
Test Conditions
Min.
Typ.
Max.
Unit
I
CES
Collector Cut-off
Current (V
BE
= 0)
V
CE
= 800 V
V
CE
= 800 V
T
j
= 125
o
C
100
500
μ
A
μ
A
μ
A
I
CEO
Collector Cut-off
Current (I
B
= 0)
Collector-Emitter
Sustaining Voltage
Emitter-Base Voltage
V
CE
= 400 V
250
V
CEO(sus)
I
C
= 100 mA
L = 25 mH
400
V
V
EBO
V
CE(sat)
I
E
= 10 mA
9
V
Collector-Emitter
Saturation Voltage
I
C
= 1 A
I
C
= 2 A
I
C
= 3 A
I
C
= 4 A
I
C
= 5 A
I
B
= 0.2 A
I
B
= 0.4 A
I
B
= 0.6 A
I
B
= 1 A
I
B
= 1 A
0.7
0.5
0.7
1
1
V
V
V
V
V
V
BE(sat)
Base-Emitter
Saturation Voltage
I
C
= 1 A
I
C
= 2 A
I
C
= 3 A
I
B
= 0.2 A
I
B
= 0.4 A
I
B
= 0.6 A
1.1
1.3
1.5
V
V
V
h
FE
DC Current Gain
I
C
= 2 A
I
C
= 10 mA
V
CE
= 5 V
V
CE
= 5 V
8
10
40
t
s
RESISTIVE LOAD
Storage Time
I
C
= 2 A
V
CC
= 250 V
I
B1
= -I
B2
= 0.4 A
2.4
3.5
μ
s
t
s
t
f
INDUCTIVE LOAD
Storage Time
Fall Time
I
C
= 2 A
V
BE(off)
= -5 V
V
CL
= 250 V
I
C
= 2 A
V
BE(off)
= -5V
V
CL
= 250 V
T
j
= 125
o
C
I
B1
= 0.4 A
R
BB
= 0
L = 200
μ
H
I
B1
= 0.4 A
R
BB
= 0
L = 200
μ
H
0.7
50
1.4
100
μ
s
ns
t
s
t
f
INDUCTIVE LOAD
Storage Time
Fall Time
1
75
μ
s
ns
Pulsed: Pulse duration = 300
μ
s, duty cycle 1.5 %
Safe OperatingAreas
DeratingCurve
BUL138
2/6
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| BUL1403ED | HIGH VOLTAGE FAST-SWITCHING NPN POWER TRANSISTOR |
| BUL1603ED | HIGH VOLTAGE FAST-SWITCHING NPN POWER TRANSISTOR |
| BUL213 | HIGH VOLTAGE FAST-SWITCHING NPN POWER TRANSISTOR |
| BUL216 | HIGH VOLTAGE FAST-SWITCHING NPN POWER TRANSISTOR |
| BUL310FP | High Voltage Fast-Switching NPN Power Transistor(高壓快速開關(guān)NPN功率晶體管) |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| BUL138_01 | 制造商:STMICROELECTRONICS 制造商全稱:STMicroelectronics 功能描述:HIGH VOLTAGE FAST-SWITCHING NPN POWER TRANSISTOR |
| BUL138FP | 功能描述:兩極晶體管 - BJT NPN Hi-Volt Fast Sw RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| BUL1403ED | 功能描述:兩極晶體管 - BJT NPN Hi-Volt Fast Sw RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| BUL1403ED_02 | 制造商:STMICROELECTRONICS 制造商全稱:STMicroelectronics 功能描述:HIGH VOLTAGE FAST-SWITCHING NPN POWER TRANSISTOR |
| BUL146 | 功能描述:兩極晶體管 - BJT 6A 400V 100W NPN RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
發(fā)布緊急采購，3分鐘左右您將得到回復(fù)。
