參數(shù)資料
型號： BUL118D
英文描述： BJT
中文描述： 雙極型晶體管
文件頁數(shù)： 3/6頁
文件大?。?/td> 217K
代理商： BUL118D
DC Current Gain
Collector Emitter Saturation Voltage
Switching Time Resistive Load
DC Current Gain
Base Emitter Saturation Voltage
Switching Time Inductive Load
BUL1102EFP
3/6
相關PDF資料
PDF描述
BUL1203EFP HIGH VOLTAGE FAST-SWITCHING NPN POWER TRANSISTOR
BUL128D-A TRANSISTOR | BJT | NPN | 400V V(BR)CEO | 4A I(C) | TO-220AB
BUL138FP HIGH VOLTAGE FAST-SWITCHING NPN POWER TRANSISTOR
BUL26 TRANSISTOR | BJT | NPN | 300V V(BR)CEO | 4A I(C) | TO-220VAR
BUL26D
相關代理商/技術參數(shù)
參數(shù)描述
BUL1203 制造商:STMICROELECTRONICS 制造商全稱:STMicroelectronics 功能描述:HIGH VOLTAGE FAST-SWITCHING NPN POWER TRANSISTOR
BUL1203E 功能描述:兩極晶體管 - BJT N Ch 75V 3.5m 120A Pwr MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
BUL1203EFP 功能描述:兩極晶體管 - BJT PWR BIP/S.SIGNAL RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
BUL128 功能描述:兩極晶體管 - BJT NPN Hi-Volt Fast Sw RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
BUL128_01 制造商:STMICROELECTRONICS 制造商全稱:STMicroelectronics 功能描述:HIGH VOLTAGE FAST-SWITCHING NPN POWER TRANSISTOR
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