- 您現(xiàn)在的位置：買賣IC網 > PDF目錄376498 > BUK9775-55 (NXP SEMICONDUCTORS) TrenchMOS transistor Logic level FET PDF資料下載
參數(shù)資料
| 型號： | BUK9775-55 |
| 廠商： | NXP SEMICONDUCTORS |
| 元件分類： | JFETs |
| 英文描述： | TrenchMOS transistor Logic level FET |
| 中文描述： | 11.7 A, 55 V, 0.075 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET |
| 封裝： | PLASTIC, FULL PACK-3 |
| 文件頁數(shù)： | 3/8頁 |
| 文件大?。?/td> | 68K |
| 代理商： | BUK9775-55 |
Philips Semiconductors
Product specification
TrenchMOS
transistor
Logic level FET
BUK9775-55
REVERSE DIODE LIMITING VALUES AND CHARACTERISTICS
T
j
= 25C unless otherwise specified
SYMBOL
PARAMETER
I
DR
Continuous reverse drain
current
I
DRM
Pulsed reverse drain current
V
SD
Diode forward voltage
t
rr
Reverse recovery time
Q
rr
Reverse recovery charge
CONDITIONS
MIN.
-
TYP.
-
MAX.
11.7
UNIT
A
-
-
-
-
-
47
1.2
-
-
A
V
ns
μ
C
I
F
= 11.7 A; V
GS
= 0 V
I
F
= 11.7 A; -dI
F
/dt = 100 A/
μ
s;
V
GS
= -10 V; V
R
= 30 V
0.95
32
0.12
AVALANCHE LIMITING VALUE
SYMBOL
W
DSS
PARAMETER
Drain-source non-repetitive
unclamped inductive turn-off
energy
CONDITIONS
I
D
= 10 A; V
DD
≤
25 V;
V
GS
= 5 V; R
GS
= 50
; T
mb
= 25 C
MIN.
-
TYP.
-
MAX.
30
UNIT
mJ
April 1998
3
Rev 1.000
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| BUW11AF | Silicon diffused power transistors |
| BUW11F | Silicon diffused power transistors |
| BUW11AW | Silicon diffused power transistors |
| BUW11W | Silicon diffused power transistors |
| BUW12AF | Silicon diffused power transistors |
相關代理商/技術參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| BUK9775-55A | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 55V V(BR)DSS | 11A I(D) | TO-220F |
| BUK98150-55 | 制造商:PHILIPS 制造商全稱:NXP Semiconductors 功能描述:TrenchMOS transistor Logic level FET |
| BUK98150-55 /T3 | 功能描述:MOSFET TAPE13 PWR-MOS RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
| BUK98150-55,135 | 功能描述:MOSFET TAPE13 PWR-MOS RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
| BUK98150-55/CUF | 功能描述:MOSFET N-CH 55V 5.5A SOT223 制造商:nexperia usa inc. 系列:TrenchMOS?? 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態(tài):停產 FET 類型:N 溝道 技術:MOSFET（金屬氧化物） 漏源電壓（Vdss）:55V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:5.5A（Tc） 驅動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）:5V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:2V @ 1mA Vgs（最大值）:±10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）（最大值）:330pF @ 25V FET 功能:- 功率耗散（最大值）:8.3W（Tc） 不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:150 毫歐 @ 5A，5V 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安裝類型:表面貼裝 供應商器件封裝:SOT-223 封裝/外殼:TO-261-4，TO-261AA 標準包裝:1 |
發(fā)布緊急采購，3分鐘左右您將得到回復。