參數(shù)資料
型號(hào)： BUK9528-100A
廠商： NXP SEMICONDUCTORS
元件分類(lèi)： JFETs
英文描述： TrenchMOS transistor Logic level FET
中文描述： 49 A, 100 V, 0.028 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220AB
文件頁(yè)數(shù)： 4/9頁(yè)
文件大?。?/td> 86K
代理商： BUK9528-100A
Philips Semiconductors
Product specification
TrenchMOS
transistor
Logic level FET
BUK9528-100A
BUK9628-100A
Fig.5. Typical output characteristics, T
j
= 25 C
.
I
D
= f(V
DS
); parameter V
GS
Fig.6. Typical on-state resistance, T
j
= 25 C
.
R
DS(ON)
= f(I
D
); paramter V
GS
Fig.7. Typical on-state resistance, T
= 25 C
.
R
DS(ON)
= f(V
GS
); conditions: I
D
= 25 A;
Fig.8. Typical transfer characteristics.
I
D
= f(V
GS
)
; conditions: V
DS
= 25 V; parameter T
j
Fig.9. Typical transconductance, T
= 25 C
.
g
fs
= f(I
D
); conditions: V
DS
= 25 V
Fig.10. Normalised drain-source on-state resistance.
a = R
DS(ON)
/R
DS(ON)25 C
= f(T
j
); I
D
= 25 A; V
GS
= 5 V
0
10
20
30
40
50
60
0
2
4
6
8
10
VDS/V
ID/A
2.8
3.0
3.6
3.8
4.0
5.0
10.0
VGS/V =
2.2
2.6
2.4
3.4
3.2
0
5
10
15
20
25
0.0
2.0
4.0
6.0
VGS/V
ID/A
Tj/C= 175
25
25
30
35
40
45
50
55
60
65
5
15
25
35
45
55
ID/A
R
3.2
3.6
3.8
3.0
3.4
5.0
0
10
20
30
40
50
60
70
80
90
100
0
20
40
60
80
100
ID/A
gfs/S
15
16
17
18
19
20
21
22
23
3
4
5
6
7
8
9
10
VGS/V
RDS(ON) Ohm
0.5
1
1.5
2
2.5
3
-100
-50
0
50
100
150
200
Tmb / degC
a
Rds(on) normalised to 25degC
March 2000
4
Rev 1.000
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PDF描述
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