參數(shù)資料
型號(hào)： BUK9515
廠(chǎng)商： NXP Semiconductors N.V.
英文描述： TrenchMOS transistor Logic level FET
中文描述： TrenchMOS晶體管邏輯電平場(chǎng)效應(yīng)管
文件頁(yè)數(shù)： 3/8頁(yè)
文件大小： 63K
代理商： BUK9515
Philips Semiconductors
Product specification
TrenchMOS
transistor
Logic level FET
BUK9515-100A
AVALANCHE LIMITING VALUE
SYMBOL
W
DSS
PARAMETER
Drain-source non-repetitive
unclamped inductive turn-off
energy
CONDITIONS
I
D
= 35 A; V
DD
≤
25 V;
V
GS
= 5 V; R
GS
= 50
; T
mb
= 25 C
MIN.
-
TYP.
-
MAX.
120
UNIT
mJ
December 1998
3
Rev 1.100
相關(guān)PDF資料
PDF描述
BUK9524-55 TrenchMOS（TM）transistor Logic level FET(TrenchMOS（TM）晶體管邏輯電平FET)
BUK9528-100A TrenchMOS transistor Logic level FET
BUK9528-55A TrenchMOS logic level FET
BUK9528-55 TrenchMOS（TM）transistor Logic level FET(TrenchMOS（TM）晶體管邏輯電平FET)
BUK9535-55 TrenchMOS（TM）transistor Logic level FET(TrenchMOS（TM）晶體管邏輯電平FET)
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
BUK95150-55A 功能描述:MOSFET RAIL PWR-MOS RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
BUK95150-55A,127 功能描述:MOSFET RAIL PWR-MOS RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
BUK9515-100A 功能描述:MOSFET RAIL PWR-MOS RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
BUK9515-100A,127 功能描述:MOSFET RAIL PWR-MOS RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
BUK9515-60E 制造商:NXP Semiconductors 功能描述:MOSFET N-CH 60V 54A TO220
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