參數(shù)資料
型號： BUK762R7-30B
英文描述： TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 30V V(BR)DSS | 75A I(D) | TO-263AB
中文描述： 晶體管| MOSFET的| N溝道| 30V的五（巴西）直| 75A條（?。﹟對263AB
文件頁數(shù)： 13/15頁
文件大?。?/td> 336K
代理商： BUK762R7-30B
Philips Semiconductors
BUK75/76/7E04-40A
TrenchMOS standard level FET
Product data
Rev. 02 — 7 November 2001
13 of 15
9397 750 09059
Koninklijke Philips Electronics N.V. 2001. All rights reserved.
11. Revision history
Table 6:
Rev Date
02
Revision history
CPCN
20011107
Description
Product data; second version; supersedes Rev. 01 of 20011018.
Problem during rendering process leading to m
being shown as
μ
in table 5.
Product data; initial version
-
01
20011018
-
相關PDF資料
PDF描述
BUK763R1-40B TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 40V V(BR)DSS | 75A I(D) | TO-263AB
BUK7510-30 TrenchMOS transistor Standard level FET
BUK7514-30 TrenchMOS transistor Standard level FET
BUK7514-55 TrenchMOS（TM）transistor Standard level FET(TrenchMOS（TM）晶體管標準電平FET)
BUK7524-60 TrenchMOS transistor Standard level FET
相關代理商/技術參數(shù)
參數(shù)描述
BUK762R7-30B /T3 功能描述:MOSFET HIGH PERF TRENCHMOS RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
BUK762R7-30B,118 功能描述:MOSFET HIGH PERF TRENCHMOS RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
BUK762R9-40E 制造商:NXP Semiconductors 功能描述:MOSFET N-CH 40V 100A D2PAK
BUK762R9-40E,118 功能描述:MOSFET RoHS:否 制造商:NXP Semiconductors 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:30 V 閘/源擊穿電壓: 漏極連續(xù)電流:180 mA 電阻汲極/源極 RDS（導通）:4.5 Ohms 配置: 最大工作溫度:+ 150 C 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SOT-416 封裝:Reel
BUK7631-100E 制造商:NXP Semiconductors 功能描述:MOSFET N-CH 100V 34A D2PAK
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