參數資料
型號： BUK7609-75A
英文描述： TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 75V V(BR)DSS | 75A I(D) | TO-263AB
中文描述： 晶體管| MOSFET的| N溝道| 75V的五（巴西）直| 75A條（?。﹟對263AB
文件頁數： 4/15頁
文件大小： 336K
代理商： BUK7609-75A
Philips Semiconductors
BUK75/76/7E04-40A
TrenchMOS standard level FET
Product data
Rev. 02 — 7 November 2001
4 of 15
9397 750 09059
Koninklijke Philips Electronics N.V. 2001. All rights reserved.
7.
Thermal characteristics
7.1 Transient thermal impedance
Table 4:
Symbol
R
th(j-a)
Thermal characteristics
Parameter
thermal resistance from junction to ambient
Conditions
vertical in still air; SOT78 and
SOT226 packages
mounted on printed circuit board;
minimum footprint; SOT404
package
Figure 4
Value
60
Unit
K/W
50
K/W
R
th(j-mb)
thermal resistance from junction to mounting
base
0.5
K/W
Fig 4.
Transient thermal impedance from junction to mounting base as a function of pulse duration.
03ne69
Single Shot
0.2
0.1
0.05
0.02
10
-3
10
-2
10
-1
1
Zth(j-mb)
(K/W)
10
-6
10
-5
10
-4
10
-3
10
-2
10
-1
1
tp (s)
δ
= 0.5
tp
tp
T
T
P
t
δ
=
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