參數(shù)資料
型號(hào)： BUK752R7-30B
英文描述： TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 30V V(BR)DSS | 75A I(D) | TO-220AB
中文描述： 晶體管| MOSFET的| N溝道| 30V的五（巴西）直| 75A條（?。﹟ TO - 220AB現(xiàn)有
文件頁(yè)數(shù)： 13/15頁(yè)
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代理商： BUK752R7-30B
Philips Semiconductors
BUK75/76/7E04-40A
TrenchMOS standard level FET
Product data
Rev. 02 — 7 November 2001
13 of 15
9397 750 09059
Koninklijke Philips Electronics N.V. 2001. All rights reserved.
11. Revision history
Table 6:
Rev Date
02
Revision history
CPCN
20011107
Description
Product data; second version; supersedes Rev. 01 of 20011018.
Problem during rendering process leading to m
being shown as
μ
in table 5.
Product data; initial version
-
01
20011018
-
相關(guān)PDF資料
PDF描述
BUK753R1-40B TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 40V V(BR)DSS | 75A I(D) | TO-220AB
BUK7556-30 N-Channel Enhancement MOSFET
BUK7604-40A TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 40V V(BR)DSS | 75A I(D) | TO-263AB
BUK7609-75A TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 75V V(BR)DSS | 75A I(D) | TO-263AB
BUK7623-75A TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 75V V(BR)DSS | 53A I(D) | TO-263AB
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
BUK752R7-30B,127 功能描述:MOSFET HIGH PERF TRENCHMOS RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
BUK752R7-60E 制造商:NXP Semiconductors 功能描述:MOSFET N-CH 60V 120A TO220
BUK752R7-60E,127 制造商:NXP Semiconductors 功能描述:BUK752R7-60E/SIL3P/RAILH// - Rail/Tube 制造商:NXP Semiconductors 功能描述:MOSFET N-CH 60V 120A TO220AB
BUK7535-100A 功能描述:MOSFET RAIL PWR-MOS RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
BUK7535-100A,127 功能描述:MOSFET RAIL PWR-MOS RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
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