參數(shù)資料
型號： BUK7528-55
廠商： NXP SEMICONDUCTORS
元件分類： JFETs
英文描述： TrenchMOS（TM）transistor Standard level FET(TrenchMOS（TM）晶體管標準電平FET)
中文描述： 40 A, 55 V, 0.028 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220AB
封裝： PLASTIC, TO-220AB, 3 PIN
文件頁數(shù)： 4/8頁
文件大小： 64K
代理商： BUK7528-55
Philips Semiconductors
Product specification
TrenchMOS
transistor
Standard level FET
BUK7528-55
Fig.5. Typical output characteristics, T
j
= 25 C
I
D
= f(V
DS
); parameter V
GS
Fig.6. Typical on-state resistance, T
j
= 25 C
R
DS(ON)
= f(I
D
); parameter V
GS
Fig.7. Typical transfer characteristics.
I
D
= f(V
GS
); conditions: V
DS
= 25 V; parameter T
j
Fig.8. Typical transconductance, T
= 25 C
g
fs
= f(I
D
); conditions: V
DS
= 25 V
Fig.9. Normalised drain-source on-state resistance.
a = R
DS(ON)
/R
DS(ON)25 C
= f(T
j
); I
D
= 20 A; V
GS
= 10 V
Fig.10. Gate threshold voltage.
V
GS(TO)
= f(T
j
); conditions: I
D
= 1 mA; V
DS
= V
GS
0
2
4
6
8
10
0
20
40
60
80
100
ID/A
VDS/V
VGS/V =
16
14
12
10.0
9.5
9.0
8.5
8.0
7.5
7.0
6.5
6.0
5.5
5.0
0
10
20
30
40
50
60
70
80
0
5
10
15
20
gfs/S
ID/A
0
10
20
30
40
50
60
70
20
25
30
35
40
45RDS(ON)/mOhm
VGS/V =
ID/A
6
6.5
7
8
9
10
-100
-50
0
50
100
150
200
0.5
1
1.5
2
2.5
BUK959-60
Tmb / degC
Rds(on) normlised to 25degC
a
0
2
4
6
8
10
12
0
10
20
30
40
50
60
70
80
ID/A
VGS/V
Tj/C =
175
25
BUK759-60
0
-50
0
50
100
150
200
1
2
3
4
5
Tj / C
VGS(TO) / V
max.
typ.
min.
April 1998
4
Rev 1.100
相關PDF資料
PDF描述
BUK7606-55 TrenchMOS（TM）transistor Standard level FET(TrenchMOS（TM）晶體管標準電平FET)
BUK7610-30 Aluminum Snap-In Capacitor; Capacitance: 6800uF; Voltage: 50V; Case Size: 30x35 mm; Packaging: Bulk
BUK7614-30 TrenchMOS transistor Standard level FET
BUK7614-55 TrenchMOS transistor Standard level FET
BUK7615-100A TrenchMOS transistor Standard level FET
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參數(shù)描述
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