參數(shù)資料
型號： BUK6E2R3-40C
廠商： NXP SEMICONDUCTORS
元件分類： 功率晶體管
英文描述： N-channel TrenchMOS intermediate level FET
中文描述： 120 A, 40 V, 0.0036 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-262AA
封裝： PLASTIC, TO-262, I2PAK-3
文件頁數(shù)： 4/15頁
文件大?。?/td> 373K
代理商： BUK6E2R3-40C
BUK6E2R3-40C
All information provided in this document is subject to legal disclaimers.
NXP B.V. 2010. All rights reserved.
Product data sheet
Rev. 1 — 18 August 2010
4 of 15
NXP Semiconductors
BUK6E2R3-40C
N-channel TrenchMOS intermediate level FET
Fig 1.
Continuous drain current as a function of
mounting base temperature
Fig 2.
Normalized total power dissipation as a
function of mounting base temperature
Fig 3.
Safe operating area; continuous and peak drain currents as a function of drain-source voltage
003aae288
0
60
120
180
240
300
0
50
100
150
200
T
mb
(
°
C)
I
D
(A)
(1)
T
mb
(
°
C)
0
200
150
50
100
03na19
40
80
120
P
der
(%)
0
003aae247
10
-1
1
10
10
2
10
3
10
4
I
D
(A)
10
-1
1
10
10
2
V
DS
(V)
Limit R
DSon
= V
DS
/ I
D
DC
100 ms
10 ms
1 ms
100
μ
s
t
p
=10
μ
s
相關(guān)PDF資料
PDF描述
BUK6E3R2-55C N-channel TrenchMOS intermediate level FET
BUK6E3R4-40C N-channel TrenchMOS intermediate level FET
BUK6E4R0-75C N-channel TrenchMOS FET
BUK7105-40ATE N-channel TrenchPLUS standard level FET
BUK7107-40ATC N-channel TrenchPLUS standard level FET
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
BUK6E2R3-40C,127 功能描述:MOSFET N-CHAN 40V 120A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
BUK6E3R2-55C 制造商:NXP Semiconductors 功能描述:MOSFETN CH55V120ASOT226 制造商:NXP Semiconductors 功能描述:MOSFET,N CH,55V,120A,SOT226 制造商:NXP Semiconductors 功能描述:MOSFET,N CH,55V,120A,SOT226, Transistor Polarity:N Channel, Continuous Drain Cur
BUK6E3R2-55C,127 功能描述:MOSFET N-CHAN 55V 120A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
BUK6E3R4-40C 制造商:NXP Semiconductors 功能描述:MOSFETN CH40V100ASOT226 制造商:NXP Semiconductors 功能描述:MOSFET,N CH,40V,100A,SOT226 制造商:NXP Semiconductors 功能描述:MOSFET,N CH,40V,100A,SOT226, Transistor Polarity:N Channel, Continuous Drain Cur
BUK6E3R4-40C,127 功能描述:MOSFET N-CHAN 40V 100A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
發(fā)布緊急采購，3分鐘左右您將得到回復(fù)。

采購需求

(若只采購一條型號，填寫一行即可)

發(fā)布成功！您可以繼續(xù)發(fā)布采購。也可以進(jìn)入我的后臺(tái)，查看報(bào)價(jià)

發(fā)布成功！您可以繼續(xù)發(fā)布采購。也可以進(jìn)入我的后臺(tái)，查看報(bào)價(jià)

*型號 *數(shù)量 廠商 批號 封裝
添加更多采購

我的聯(lián)系方式

*
*
*