參數(shù)資料
型號： BUK661R6-30C
廠商： NXP SEMICONDUCTORS
元件分類： 功率晶體管
英文描述： N-channel TrenchMOS intermediate level FET
中文描述： 120 A, 30 V, 0.0033 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET
封裝： PLASTIC, D2PAK-3
文件頁數(shù)： 10/15頁
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代理商： BUK661R6-30C
BUK661R6-30C
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Product data sheet
Rev. 01 — 6 September 2010
10 of 15
NXP Semiconductors
BUK661R6-30C
N-channel TrenchMOS intermediate level FET
Fig 16. Drain-source on-state resistance as a function of drain current; typical values
003aae010
0
2
4
6
8
10
0
50
100
150
200
I
D
(A)
R
DSon
(m
Ω
)
V
GS
(V) = 4 V
5
4.5
10
相關PDF資料
PDF描述
BUK661R8-30C N-channel TrenchMOS intermediate level FET
BUK661R9-40C N-channel TrenchMOS intermediate level FET
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參數(shù)描述
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BUK661R8-30C 制造商:NXP Semiconductors 功能描述:Cut Tape 制造商:NXP Semiconductors 功能描述:MOSFETN CH30V120ASOT404 制造商:NXP Semiconductors 功能描述:MOSFET,N CH,30V,120A,SOT404 制造商:NXP Semiconductors 功能描述:MOSFET,N CH,30V,120A,SOT404; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:120A; Drain Source Voltage Vds:30V; On Resistance Rds(on):1.6mohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; Threshold Voltage Vgs Typ:2.3V; No. of Pins:3 ;RoHS Compliant: Yes
BUK661R8-30C,118 功能描述:MOSFET N-CHAN 30V 120A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
BUK661R9-40C 制造商:NXP Semiconductors 功能描述:Cut Tape 制造商:NXP Semiconductors 功能描述:MOSFETN CH40V120ASOT404 制造商:NXP Semiconductors 功能描述:MOSFET,N CH,40V,120A,SOT404 制造商:NXP Semiconductors 功能描述:MOSFET,N CH,40V,120A,SOT404; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:120A; Drain Source Voltage Vds:40V; On Resistance Rds(on):1.6mohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; Threshold Voltage Vgs Typ:2.3V; No. of Pins:3 ;RoHS Compliant: Yes
BUK661R9-40C,118 功能描述:MOSFET N-CHAN 40V 120A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
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