參數資料
型號： BUK653R4-40C
廠商： NXP SEMICONDUCTORS
元件分類： 功率晶體管
英文描述： N-channel TrenchMOS intermediate level FET
中文描述： 100 A, 40 V, 0.006 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220AB
封裝： PLASTIC, SC-46, 3 PIN
文件頁數： 9/14頁
文件大小： 184K
代理商： BUK653R4-40C
BUK653R4-40C
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Product data sheet
Rev. 02 — 12 October 2010
9 of 14
NXP Semiconductors
BUK653R4-40C
N-channel TrenchMOS intermediate level FET
T
j
= 25 °C; I
D
= 25 A
Fig 14. Gate-source voltage as a function of gate
charge; typical values
Fig 13. Gate charge waveform definitions
V
GS
= 0 V; f = 1 MHz
Fig 15. Input, output and reverse transfer capacitances
as a function of drain-source voltage; typical
values
V
GS
= 0 V
Fig 16. Source (diode forward) current as a function of
source-drain (diode forward) voltage; typical
values
003aaa508
V
GS
V
GS(th)
Q
GS1
Q
GS2
Q
GD
V
DS
Q
G(tot)
I
D
Q
GS
V
GS(pl)
003aae336
0
2
4
6
8
10
0
50
100
150
Q
G
(nC)
V
GS
(V)
V
DS
= 32 V
14 V
003aae337
10
2
10
3
10
4
10
1
1
10
10
2
V
DS
(V)
C
(pF)
C
iss
C
rss
C
oss
003aae339
0
20
40
60
80
100
0
0.3
0.6
0.9
1.2
V
SD
(V)
I
S
(A)
Tj = 25
°
C
Tj = 175
°
C
相關PDF資料
PDF描述
BUK653R5-55C N-channel TrenchMOS intermediate level FET
BUK653R7-30C N-channel TrenchMOS intermediate level FET
BUK654R0-75C N-channel TrenchMOS FET
BUK654R6-55C N-channel TrenchMOS intermediate level FET
BUK654R8-40C N-channel TrenchMOS intermediate level FET
相關代理商/技術參數
參數描述
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BUK653R7-30C,127 功能描述:MOSFET N-CHAN 30V 100A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
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