參數(shù)資料
型號(hào)： BUK652R3-40C
廠商： NXP SEMICONDUCTORS
元件分類(lèi)： 功率晶體管
英文描述： N-channel TrenchMOS intermediate level FET
中文描述： 120 A, 40 V, 0.0036 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220AB
封裝： PLASTIC, SC-46, 3 PIN
文件頁(yè)數(shù)： 8/15頁(yè)
文件大?。?/td> 375K
代理商： BUK652R3-40C
BUK652R3-40C
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Product data sheet
Rev. 2 — 18 August 2010
8 of 15
NXP Semiconductors
BUK652R3-40C
N-channel TrenchMOS intermediate level FET
Fig 9.
Sub-threshold drain current as a function of
gate-source voltage
Fig 10. Gate-source threshold voltage as a function of
junction temperature
Fig 11. Drain-source on-state resistance as a function
of drain current; typical values
Fig 12. Normalized drain-source on-state resistance
factor as a function of junction temperature
003aad806
10
-6
10
-5
10
-4
10
-3
10
-2
10
-1
I
D
(A)
0
1
2
3
4
V
GS
(V)
max
typ
min
003aae542
0
1
2
3
4
-60
0
60
120
180
T
j
(
°
C)
V
GS(th)
(V)
max @1mA
typ @1mA
min @2.5mA
003aae283
0
2
4
6
8
0
10
20
30
40
50
I
D
(A)
R
DSon
(m
Ω
)
10
3.6
3.4
3.8
4.0
V
GS
(V) = 3.3
5.0
003aad793
0
0.5
1
1.5
2
2.5
-60
0
60
120
180
T
j
(
°
C)
a
相關(guān)PDF資料
PDF描述
BUK652R6-40C N-channel TrenchMOS FET
BUK653R2-55C N-channel TrenchMOS intermediate level FET
BUK653R3-30C N-channel TrenchMOS intermediate level FET
BUK653R4-40C N-channel TrenchMOS intermediate level FET
BUK653R5-55C N-channel TrenchMOS intermediate level FET
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
BUK652R3-40C,127 功能描述:MOSFET N-CHAN 40V 120A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
BUK652R6-40C 制造商:NXP Semiconductors 功能描述:MOSFETN CH40V120ASOT78 制造商:NXP Semiconductors 功能描述:MOSFET,N CH,40V,120A,SOT78 制造商:NXP Semiconductors 功能描述:MOSFET,N CH,40V,120A,SOT78; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:120A; Drain Source Voltage Vds:40V; On Resistance Rds(on):2.32mohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; Threshold Voltage Vgs Typ:2.3V; No. of Pins:3 ;RoHS Compliant: Yes
BUK652R6-40C,127 功能描述:MOSFET N-CHAN 40V 120A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
BUK652R7-30C 制造商:NXP Semiconductors 功能描述:MOSFETN CH30V100ASOT78
BUK652R7-30C,127 功能描述:MOSFET N-CHAN 30V 100A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
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