參數(shù)資料
型號(hào)： BUK202-50
廠商： NXP Semiconductors N.V.
英文描述： XTAL CER SMT 6X3.5 2PAD
中文描述： PowerMOS晶體管TOPFET高邊開關(guān)
文件頁數(shù)： 11/13頁
文件大?。?/td> 122K
代理商： BUK202-50
Philips Semiconductors
Product specification
PowerMOS transistor
TOPFET high side switch
BUK202-50Y
Fig.34. Typical overload current, V
= 9 V.
I
L
= f(T
mb
); conditions V
BG
= 13 V; t
p
= 100
μ
s
Fig.35. Typical short circuit load threshold voltage.
V
BL(TO)
= f(V
BG
); condition T
mb
= 25 C
Fig.36. Typical short circuit load threshold voltage.
V
BL(TO)
= f(T
mb
); condition V
BG
= 13 V
Fig.37. Transient thermal impedance.
Z
th
j-mb
= f(t); parameter D = t
p
/T
-60
-20
20
60
Tmb / C
100
140
180
IL(LIM) / A
BUK202-50Y
70
60
50
40
30
20
10
0
-60
-20
20
60
Tmb / C
100
140
180
VBL(TO) / V
BUK202-50Y
15
14
13
12
11
10
9
8
7
6
5
0
10
20
30
40
VBG / V
VBL(TO) / V
BUK202-50Y
12
11
10
9
100n
10u
1m
t / s
100m
10
Zth j-mb / (K/W)
BUK202-50Y
10
1
0.1
0.01
0.001
0
0.5
0.2
0.1
0.05
0.02
1u
100u
10m
1
D =
t
p
t
p
T
T
P
t
D
D =
April 1995
11
Rev 1.100
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PDF描述
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