參數(shù)資料
型號(hào)： BUK117-50DL
廠商： NXP SEMICONDUCTORS
元件分類： 外設(shè)及接口
英文描述： PowerMOS transistor Logic level TOPFET
中文描述： 12 A BUF OR INV BASED PRPHL DRVR, PSFM3
封裝： PLASTIC, TO-220AB, SOT-78B, SEP-3
文件頁(yè)數(shù)： 3/6頁(yè)
文件大?。?/td> 44K
代理商： BUK117-50DL
Philips Semiconductors
Product specification
PowerMOS transistor
Logic level TOPFET
BUK117-50DL
OUTPUT CHARACTERISTICS
Limits are for -40
C
≤
T
mb
≤
150
C; typicals are for T
mb
= 25
C unless otherwise specified
SYMBOL
PARAMETER
CONDITIONS
MIN.
TYP.
MAX.
UNIT
Off-state
V
IS
= 0 V
I
D
= 10 mA
I
DM
= 1 A; t
p
≤
300
μ
s;
δ
≤
0.01
V
DS
= 40 V
V
(CL)DSS
Drain-source clamping voltage
50
-
-
V
50
60
70
V
I
DSS
Drain source leakage current
-
-
-
100
10
μ
A
μ
A
T
mb
= 25
C
0.1
On-state
I
DM
= 3 A; t
p
≤
300
μ
s;
δ
≤
0.01
V
IS
≥
4.4 V
R
DS(ON)
Drain-source resistance
-
-
-
190
100
m
m
m
m
T
mb
= 25
C
68
V
IS
≥
4 V
-
-
-
200
105
T
mb
= 25
C
72
OVERLOAD CHARACTERISTICS
-40
C
≤
T
mb
≤
150
C unless otherwise specified.
SYMBOL
PARAMETER
Short circuit load
I
D
Drain current limiting
CONDITIONS
V
DS
= 13 V
V
= 5 V;
4.4 V
≤
V
IS
≤
5.5 V
4 V
≤
V
IS
≤
5.5 V
V
= 5 V;
device trips if P
D
> P
D(TO)
which determines trip time
1
MIN.
TYP.
MAX.
UNIT
T
mb
= 25
C
8
6
5
12
-
-
16
18
18
A
A
A
Overload protection
Overload power threshold
Characteristic time
T
mb
= 25
C
P
D(TO)
T
DSC
20
200
55
350
80
600
W
μ
s
Overtemperature protection
Threshold junction
temperature
2
T
j(TO)
150
170
-
C
1
Trip time t
d sc
varies with overload dissipation P
D
according to the formula t
d sc
≈
T
DSC
/ ln[ P
D
/ P
D(TO)
].
2
This is independent of the dV/dt of input voltage V
IS
.
May 2001
3
Rev 1.800
相關(guān)PDF資料
PDF描述
BUK128-50DL Logic level TOPFET SMD version of BUK117-50DL
BUK129-50DL Logic level TOPFET SMD version of BUK118-50DL
BUK223-50Y PowerMOS transistor TOPFET high side switch
BUK638-1000 PowerMOS transistor Fast recovery diode FET
BUK638-1000A PowerMOS transistor Fast recovery diode FET
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
BUK117-50DL,127 功能描述:MOSFET N-CH 50V 12A SOT78B RoHS:是 類別:集成電路 (IC) >> PMIC - MOSFET，電橋驅(qū)動(dòng)器 - 內(nèi)部開關(guān) 系列:TOPFET™ 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1,000 系列:- 類型:高端/低端驅(qū)動(dòng)器 輸入類型:SPI 輸出數(shù):8 導(dǎo)通狀態(tài)電阻:850 毫歐，1.6 歐姆 電流 - 輸出 / 通道:205mA，410mA 電流 - 峰值輸出:500mA，1A 電源電壓:9 V ~ 16 V 工作溫度:-40°C ~ 150°C 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:20-SOIC（0.295"，7.50mm 寬） 供應(yīng)商設(shè)備封裝:PG-DSO-20-45 包裝:帶卷 (TR)
BUK118-50DL 功能描述:MOSFET RAIL TOPFET2 RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
BUK118-50DL,127 功能描述:MOSFET BUK118-50DL/SOT78/RAILH// RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
BUK119-50DL 功能描述:MOSFET RAIL TOPFET2 RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
BUK119-50DL,127 功能描述:MOSFET RAIL TOPFET2 RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
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