參數(shù)資料
型號(hào)： BUK112-50GL
英文描述： N-Channel Enhancement MOSFET
中文描述： N溝道MOSFET的增強(qiáng)
文件頁(yè)數(shù)： 3/15頁(yè)
文件大小： 450K
代理商： BUK112-50GL
相關(guān)PDF資料
PDF描述
BUK113-50DL N-Channel Enhancement MOSFET
BUK114-50L Logic level TOPFET SMD version of BUK104-50L/S
BUK114-50S Logic level TOPFET SMD version of BUK104-50L/S
BUK116-50L Logic level TOPFET SMD version of BUK106-50L/S(BUK106-50L/S版本的邏輯電平TOPFET)
BUK116-50S Logic level TOPFET SMD version of BUK106-50L/S(BUK106-50L/S版本的邏輯電平TOPFET)
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
BUK113-50DL 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:N-Channel Enhancement MOSFET
BUK114-50L 制造商:PHILIPS 制造商全稱:NXP Semiconductors 功能描述:Logic level TOPFET
BUK114-50L /T3 功能描述:MOSFET TAPE13 TOPFET2 RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
BUK114-50L,118 功能描述:MOSFET TAPE13 TOPFET2 RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
BUK114-50L/S 制造商:PHILIPS 制造商全稱:NXP Semiconductors 功能描述:Logic level TOPFET SMD version of BUK104-50L/S
發(fā)布緊急采購(gòu)，3分鐘左右您將得到回復(fù)。

采購(gòu)需求

(若只采購(gòu)一條型號(hào)，填寫一行即可)

發(fā)布成功！您可以繼續(xù)發(fā)布采購(gòu)。也可以進(jìn)入我的后臺(tái)，查看報(bào)價(jià)

發(fā)布成功！您可以繼續(xù)發(fā)布采購(gòu)。也可以進(jìn)入我的后臺(tái)，查看報(bào)價(jià)

*型號(hào) *數(shù)量 廠商 批號(hào) 封裝
添加更多采購(gòu)

我的聯(lián)系方式

*
*
*