| 型號(hào): | BUK109-50GL | 
| 英文描述: | N-Channel Enhancement MOSFET | 
| 中文描述: | N溝道MOSFET的增強(qiáng) | 
| 文件頁(yè)數(shù): | 3/11頁(yè) | 
| 文件大?。?/td> | 494K | 
| 代理商: | BUK109-50GL | 

| 相關(guān)PDF資料 | PDF描述 | 
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| 相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) | 參數(shù)描述 | 
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| BUK110-50GL /T3 | 功能描述:MOSFET TAPE13 TOPFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS(導(dǎo)通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube | 
| BUK110-50GL,118 | 功能描述:MOSFET TAPE13 TOPFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS(導(dǎo)通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |