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參數(shù)資料
| 型號： | BUK108-50GS |
| 廠商： | NXP SEMICONDUCTORS |
| 元件分類： | JFETs |
| 英文描述： | PowerMOS transistor TOPFET(功率MOS晶體管TOPFET) |
| 中文描述： | 15 A, 50 V, 0.125 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET |
| 文件頁數(shù)： | 7/12頁 |
| 文件大?。?/td> | 116K |
| 代理商： | BUK108-50GS |
Philips Semiconductors
Product specification
PowerMOS transistor
TOPFET
BUK108-50GS
Fig.12. Typical overload protection characteristics.
t
d sc
= f(P
DS
); conditions: V
IS
≥
5 V; T
j
= 25 C.
Fig.13. Normalised limiting overload dissipation.
P
DSM
% =100
P
DSM
/P
DSM
(25 C) = f(T
mb
)
Fig.14. Typical overload protection characteristics.
Conditions: V
DD
= 13 V; V
IS
= 10 V; SC load = 30 m
Fig.15. Typical clamping characteristics, 25 C.
I
D
= f(V
DS
); conditions: V
IS
= 0 V; t
p
≤
50
μ
s
Fig.16. Input threshold voltage.
V
IS(TO)
= f(T
j
); conditions: I
D
= 1 mA; V
DS
= 5 V
Fig.17. Typical DC input characteristics, T
j
= 25 C.
I
IS
= f(V
IS
); normal operation
0.01
1
PDS / kW
td sc / ms
BUK108-50GS
100
10
1
0.1
0.1
PDSM
50
60
70
BUK108-50GS
VDS / V
ID / A
20
15
10
5
0
typ.
-60
-40
-20
0
20
40
Tmb / C
60
80
100
120
140
PDSM%
120
100
80
60
40
20
0
-60
-40
-20
0
20
40
Tj / C
60
80
100
120
140
VIS(TO) / V
2
1
0
max.
typ.
min.
-60
-20
20
60
100
140
180
220
Tmb / C
Energy & Time
BUK108-50GS
1
0.5
0
Energy / J
Time / ms
Tj(TO)
0
2
4
6
8
10
12
14
BUK108-50GS
VIS / V
II / mA
1.0
0.5
0
June 1996
7
Rev 1.000
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| BUK109-50DL | PowerMOS transistor Logic level TOPFET(功率MOS場效應管邏輯電平TOPFET) |
| BUK109-50GL | PowerMOS transistor Logic level TOPFET(功率MOS場效應管邏輯電平TOPFET) |
| BUK109-50GS | PowerMOS transistor TOPFET(功率MOS晶體管TOPFET) |
| BUK111-50GL | Logic level TOPFET SMD version of BUK112-50GL |
| BUK112-50GL | N-Channel Enhancement MOSFET |
相關代理商/技術參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| BUK109-50DL | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:N-Channel Enhancement MOSFET |
| BUK109-50DL,118 | 功能描述:MOSFET N-CH 50V 26A SOT404 RoHS:是 類別:集成電路 (IC) >> PMIC - MOSFET，電橋驅(qū)動器 - 內(nèi)部開關 系列:TOPFET™ 標準包裝:1,000 系列:- 類型:高端/低端驅(qū)動器 輸入類型:SPI 輸出數(shù):8 導通狀態(tài)電阻:850 毫歐，1.6 歐姆 電流 - 輸出 / 通道:205mA，410mA 電流 - 峰值輸出:500mA，1A 電源電壓:9 V ~ 16 V 工作溫度:-40°C ~ 150°C 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:20-SOIC（0.295"，7.50mm 寬） 供應商設備封裝:PG-DSO-20-45 包裝:帶卷 (TR) |
| BUK109-50GL | 制造商:PHILIPS 制造商全稱:NXP Semiconductors 功能描述:PowerMOS transistor Logic level TOPFET |
| BUK109-50GS | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:PowerMOS transistor TOPFET |
| BUK110-50DL | 制造商:PHILIPS 制造商全稱:NXP Semiconductors 功能描述:PowerMOS transistor Logic level TOPFET |
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