參數(shù)資料
型號： BUK107-50DL
廠商： NXP SEMICONDUCTORS
元件分類： 外設(shè)及接口
英文描述： PowerMOS transistor Logic level TOPFET(功率MOS晶體管邏輯電平TOPFET)
中文描述： 1.1 A BUF OR INV BASED PRPHL DRVR, PDSO4
封裝： PLASTIC, SOT-223, 4 PIN
文件頁數(shù)： 6/9頁
文件大?。?/td> 77K
代理商： BUK107-50DL
Philips Semiconductors
Product specification
PowerMOS transistor
Logic level TOPFET
BUK107-50DL
Fig.14. Test circuit for resistive load switching times.
V
IS
= 5 V
Fig.15. Typical switching waveforms, resistive load .
R
L
= 50
; adjust V
DD
to obtain I
D
= 250 mA; T
j
= 25C
Fig.16. Typical drain source leakage current
I
DSS
= f(T
j
); conditions: V
DS
= 40 V; V
IS
= 0 V.
VDD
D.U.T.
0V
VIS
D
S
I
TOPFET
P
RL
VDS
measure
-50
50
150
Tj / C
IDSS
BUK107-50DL
10 uA
1 uA
100 nA
10 nA
100
0
-20
0
20
40
60
80
100
120
140
160
180
time / us
VIS & VDS / V
BUK107-50DL
15
10
5
0
VIS
VDS
Fig.17. Transient thermal impedance, TOPFET mounted on PCB of fig 19.
Z
th j-amb
= f(t); parameter D = t
p
/T
0.5
0.2
0.1
0.05
0.02
1E-07
1E-05
1E-03
1E-01
1E+01
1E+03
t / s
Zth j-amb / (K/W)
1E+02
1E+01
1E+00
1E-01
1E-02
0
BUK107-50DL
D =
t
p
t
p
T
T
P
D
t
D =
March 1997
6
Rev 1.200
相關(guān)PDF資料
PDF描述
BUK107-50DS PowerMOS transistor Logic level TOPFET(功率MOS晶體管邏輯電平TOPEFT)
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參數(shù)描述
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BUK107-50DL,115 功能描述:MOSFET TAPE-7 TOPFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
BUK107-50DLT/R 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 50V V(BR)DSS | 500MA I(D) | SOT-223
BUK107-50DS 制造商:PHILIPS 制造商全稱:NXP Semiconductors 功能描述:PowerMOS transistor Logic level TOPFET
BUK107-50DST/R 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 50V V(BR)DSS | 500MA I(D) | SOT-223
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