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參數(shù)資料
| 型號： | BUH515FP |
| 廠商： | 意法半導(dǎo)體 |
| 英文描述： | High Voltage Fast-Switching NPN Power Transistor(高壓快速開關(guān)NPN功率晶體管) |
| 中文描述： | 高壓快速NPN電源開關(guān)晶體管（高壓快速開關(guān)npn型功率晶體管） |
| 文件頁數(shù)： | 2/7頁 |
| 文件大?。?/td> | 94K |
| 代理商： | BUH515FP |
THERMAL DATA
R
thj-case
Thermal Resistance Junction-case
Max
3.3
o
C/W
ELECTRICAL CHARACTERISTICS
(T
case
= 25
o
C unlessotherwise specified)
Symbol
Parameter
Test Conditions
Min.
Typ.
Max.
Unit
I
CES
Collector Cut-off
Current (V
BE
= 0)
V
CE
= 1500 V
V
CE
= 1500 V
T
j
= 125
o
C
0.2
2
mA
mA
μ
A
I
EBO
Emitter Cut-off Current
(I
C
= 0)
Collector-Emitter
Sustaining Voltage
Emitter-Base Voltage
(I
C
= 0)
Collector-Emitter
Saturation Voltage
Base-Emitter
Saturation Voltage
DC Current Gain
V
EB
= 5 V
100
V
CEO(sus)
I
C
= 100 mA
700
V
V
EBO
I
E
= 10 mA
10
V
V
CE(sat)
I
C
= 5 A
I
B
= 1.25 A
1.5
V
V
BE(sat)
I
C
= 5 A
I
B
= 1.25 A
1.3
V
h
FE
I
C
= 5 A
I
C
= 5 A
V
CE
= 5 V
V
CE
= 5 V
T
j
= 100
o
C
6
4
12
t
s
t
f
RESISTIVE LOAD
Storage Time
Fall Time
V
CC
= 400 V
I
B1
= 1.25 A
I
C
= 5 A
I
B2
= 2.5 A
2.7
190
3.9
280
μ
s
ns
t
s
t
f
INDUCTIVE LOAD
Storage Time
Fall Time
I
C
= 5 A
I
B1
= 1.25 A
V
ceflyback
= 1050 sin
f = 15625 Hz
I
B2
= -1.5 A
π
510
6
t
V
2.3
350
μ
s
ns
t
s
t
f
INDUCTIVE LOAD
Storage Time
Fall Time
I
C
= 5A
I
B1
= 1.25 A
V
ceflyback
= 1200 sin
f = 31250 Hz
I
B2
= -1.5 A
π
510
6
t
V
2.3
200
μ
s
ns
Pulsed: Pulse duration = 300
μ
s, duty cycle 1.5 %
Safe OperatingArea
Thermal Impedance
BUH515FP
2/7
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| BUH515 | High Voltage Fast-Switching NPN Power Transistor(高電壓快速開關(guān)NPN功率晶體管) |
| BUH517 | CRT HORIZONTAL DEFLECTION HIGH VOLTAGE NPN FASTSWITCHING TRANSISTOR |
| BUH615D | High Voltage Fast-Switching NPN Power Transistor(高電壓快速開關(guān)NPN功率晶體管) |
| BUH715 | HIGH VOLTAGE FAST-SWITCHING NPN POWER TRANSISTOR |
| BUL1101E | HIGH VOLTAGE FAST-SWITCHING NPN POWER TRANSISTOR |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| BUH517 | 制造商:STMicroelectronics 功能描述:TRANSISTOR NPN ISOWATT-218 |
| BUH517 | 制造商:STMicroelectronics 功能描述:TRANSISTOR NPN ISOWATT-218 |
| BUH517D | 制造商:STMicroelectronics 功能描述:1700V 8A 60W Bce St Micro Transistor NPN |
| BUH51G | 功能描述:兩極晶體管 - BJT 3A 800V 50W NPN RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| BUH615 | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | BJT | NPN | 700V V(BR)CEO | 8A I(C) | TO-218VAR |
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