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參數(shù)資料
| 型號： | BUH2M20AP |
| 廠商： | 意法半導體 |
| 英文描述： | High Voltage NPN Silicon Power Transistor(高電壓NPN硅功率晶體管) |
| 中文描述： | 高壓NPN硅功率晶體管（高電壓npn型硅功率晶體管） |
| 文件頁數(shù)： | 2/4頁 |
| 文件大?。?/td> | 66K |
| 代理商： | BUH2M20AP |
THERMAL DATA
R
thj-case
Thermal Resistance Junction-case Max
6.25
o
C/W
ELECTRICAL CHARACTERISTICS
(T
case
= 25
o
C unless otherwise specified)
Symbol
Parameter
Test Conditions
Min.
Typ.
Max.
Unit
μ
A
I
CBO
Collector Cut-off
Current (I
E
= 0)
Emitter Cut-off Current
(I
C
= 0)
Collector-Emitter
Breakdown Voltage
Emitter-Base Voltage
(I
C
= 0)
Collector-Emitter
Saturation Voltage
Base-Emitter
Saturation Voltage
DC Current Gain
V
CE
= 2000 V
5
I
EBO
V
EB
= 4 V
10
μ
A
V
CEO
IC = 1 mA
1200
V
V
EBO
I
E
= 10
μ
A
5
V
V
CE(sat)
I
C
= 2 mA I
B
= 400
μ
A
5
V
V
BE(sat)
I
C
= 2 mA I
B
= 400
μ
A
2
V
h
FE
I
C
= 2 mA V
CE
= 10 V
I
C
= 10 mA V
CE
= 10 V
V
CB
= 100 V I
C
= 0 f = 1MHz
10
10
C
ob
Output Capacitance
3
pF
Pulsed: Pulse duration = 300
μ
s, duty cycle 1.5 %
Safe Operating Area
BUH2M20AP
2/4
相關PDF資料 |
PDF描述 |
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參數(shù)描述 |
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