參數(shù)資料
型號(hào)： BUH1015
廠商： 意法半導(dǎo)體
英文描述： High Voltage Fast-Switching NPN Power Transistor(高電壓快速開(kāi)關(guān)NPN功率晶體管)
中文描述： 高壓快速NPN電源開(kāi)關(guān)晶體管（高電壓快速開(kāi)關(guān)npn型功率晶體管）
文件頁(yè)數(shù)： 4/8頁(yè)
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代理商： BUH1015
PowerLosses at 64 KHz
Switching Time InductiveLoad at 64KHz
(see figure 2)
In order to saturate the power switch and reduce
conduction losses, adequate direct base current
I
B1
has to be provided for the lowest gain h
FE
at
T
j
= 100
o
C (line scan phase). On the other hand,
negative base current I
B2
must be provided the
transistor to turn off (retrace phase). Most of the
dissipation,
especially
application, occurs at switch-off so it is essential
to determine the value of I
B2
which minimizes
power losses, fall time t
f
and, consequently, T
j
. A
new set of curves have been defined to give total
power losses, t
s
and t
f
as a function of I
B1
at 64
KHz scanning frequencies for choosing the
in
the
deflection
optimum drive. The test circuit is illustrated in
figure 1.
The values of L and C are calculated from the
following equations:
1
2L
(
I
C
)
2
=
1
1
√
L
C
Where I
C
= operating collector current, V
CEfly
=
flyback voltage, f= frequency of oscillation during
retrace.
2C
(
V
CEfly
)
2
ω =
2
π
f
=
BASE DRIVE INFORMATION
ReverseBiased SOA
BUH1015/BUH1015HI
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相關(guān)PDF資料
PDF描述
BUH1015HI High Voltage Fast-Switching NPN Power Transistor(高電壓快速開(kāi)關(guān)NPN功率晶體管)
BUH1215 High Voltage Fast-Switching NPN Power Transistor(高電壓快速開(kāi)關(guān)NPN功率晶體管)
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相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
BUH1015HI 功能描述:兩極晶體管 - BJT NPN Hi-Volt Fast Sw RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
BUH1215 制造商:STMICROELECTRONICS 制造商全稱(chēng):STMicroelectronics 功能描述:HIGH VOLTAGE FAST-SWITCHING NPN POWER TRANSISTOR
BUH150 功能描述:兩極晶體管 - BJT 15A 400V 150W NPN RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
BUH150/D 制造商:未知廠家 制造商全稱(chēng):未知廠家 功能描述:SWITCHMODE? NPN Silicon Planar Power Transistor
BUH150G 功能描述:兩極晶體管 - BJT 15A 400V 150W NPN RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
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