參數(shù)資料
型號(hào)： BUB941ZTT4
英文描述： TRANSISTOR | BJT | DARLINGTON | NPN | 350V V(BR)CEO | 15A I(C) | TO-263
中文描述： 晶體管|晶體管|達(dá)林頓|叩| 350V五（巴西）總裁|第15A一（c）| TO - 263封裝
文件頁數(shù)： 2/8頁
文件大?。?/td> 83K
代理商： BUB941ZTT4
THERMAL DATA
TO-220
D2PAK
TO-220FP
R
thj-case
Thermal Resistance Junction-case
Max
1
2.7
o
C/W
ELECTRICAL CHARACTERISTICS
(T
case
= 25
o
C unlessotherwise specified)
Symbol
Parameter
Test Conditions
Min.
Typ.
Max.
Unit
I
CEO
Collector Cut-off
Current (I
B
= 0)
V
CE
= 300 V
V
CE
= 300 V
T
j
= 125
o
C
100
0.5
μ
A
mA
I
EBO
Emitter Cut-off Current
(I
C
= 0)
Clamping Voltage
V
EB
= 5 V
20
mA
V
CL
V
CE(sat)
I
C
= 100 mA
350
500
V
Collector-Emitter
Saturation Voltage
I
C
= 8 A
I
C
= 10 A
I
B
= 100 mA
I
B
= 250 mA
1.8
1.8
V
V
V
BE(sat)
Base-Emitter
Saturation Voltage
I
C
= 8 A
I
C
= 10 A
I
B
= 100 mA
I
B
= 250 mA
2.2
2.5
V
V
h
FE
V
F
DC Current Gain
I
C
= 5 A
V
CE
= 10 V
300
Diode Forward Voltage
I
F
= 10 A
2.5
V
Functional Test
(see fig. 1)
INDUCTIVE LOAD
Storage Time
Fall Time
(see fig. 3)
V
CC
= 24 V L= 7 mH
10
A
t
s
t
f
V
CC
= 12 V L= 7 mH
I
C
= 7 A
V
BE
= 0
V
clamp
= 300V
I
B
= 70 mA
R
BE
= 47
15
0.5
μ
s
μ
s
Pulsed: Pulse duration = 300
μ
s, duty cycle 1.5 %
Safe OperatingArea
DC Current Gain
BU941ZT / BU941ZTFP / BUB941ZT
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