參數(shù)資料
型號(hào)： BU508AF
廠商： NXP SEMICONDUCTORS
元件分類： 功率晶體管
英文描述： Silicon Diffused Power Transistor(硅擴(kuò)散功率型晶體管)
中文描述： 8 A, 700 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR
封裝： PLASTIC, SOT-199, 3 PIN
文件頁(yè)數(shù)： 3/7頁(yè)
文件大?。?/td> 61K
代理商： BU508AF
Philips Semiconductors
Product specification
Silicon Diffused Power Transistor
BU508AF
Fig.1. Test circuit for V
CEOsust
.
Fig.2. Oscilloscope display for V
CEOsust
.
Fig.3. Switching times waveforms.
Fig.4. Switching times definitions.
Fig.5. Switching times test circuit
Fig.6. Typical DC current gain. h
FE
= f (I
C
)
parameter V
CE
+ 50v
100-200R
Horizontal
Vertical
Oscilloscope
1R
6V
30-60 Hz
100R
ICsat
90 %
10 %
tf
ts
IBend
IC
IB
t
t
- IBM
VCE / V
min
VCEOsust
IC / mA
100
200
250
0
+ 150 v nominal
adjust for ICsat
1mH
BY228
12nF
D.U.T.
LB
IBend
-VBB
IC
IB
VCE
ICsat
IBend
64us
26us
20us
t
t
t
TRANSISTOR
DIODE
0.1
10
1
10
100
I1
h
FE
BU508AD
July 1998
3
Rev 1.200
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PDF描述
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